Введение
Основной объем монокристаллического кремния (80-90%) потребляемого электронной промышленно-
стью, выращиваеться по методу Чохральского.
Фактически весь кремний,используемый для произво-
дства интегральных схем,производиться этим методом.
Возможно вы искали - Реферат: НЕОРГАНИЧЕСКИЕ АНИООБМЕННИКИ, СИНТЕЗИРОВАННЫЕ НА ОСНОВЕ ГИДРОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ
Кристаллы выращенные этим методом обычно не содержат краевых дислокаций,но могут включать
небольшие дислокационные петли,образующиеся при
конденсации избыточных точечных дефектов.
Кристаллический рост заключаеться в фазовом переходе из жидкого состояния в твердую фазу.
Применительно к кремнию этот процесс может быть охарактеризован как однокомпонентная ростовая система жидкость-твердое тело.
Похожий материал - Реферат: Нанотехнология. Перспективы развития
Рост кристаллов по методу Чохральского заключаеться
в затвердевании атомов жидкой фазы на границе раздела
Скорость роста определяеться числом мест на поверхности растущего кристалла для присоединения
атомов,поступающих из жидкой фазы,и особенностями
Очень интересно - Реферат: Неметаллы
теплопереноса на границе раздела фаз.Скорость вытягивания оказывает влияние на форму границы раздела фаз между растущим кристаллом и расплавом,
которая являеться функцией радиального градиента
температуры и условий охлаждения боковой поверхности растущего кристалла.
Оборудование для роста кристаллов.
Установка для выращивания кристаллов представлена на
Вам будет интересно - Реферат: Необычные свойства обычной воды
рисунке 2,и включает в себя 4 основных узла:
1.Печь в которую входят тигель,контейнер,
механизм вращения,нагреватель,источник пита-
ния и камера.
Похожий материал - Реферат: Несимметричные сульфиды
2.Механизм вытягивания кристалла содержащий
стержень,или цепь с затравкой,механизм вращения
затравки и устройство для зажима затравки.
3.Устойство для управления составом атмосферы,