1. Введение 2
2. Подложки интегральных микросхем и их назначение 3
2.1. Назначение подложек 3
2.2. Кремний - основной материал полупроводникового производства 4
3. Виды загрязнений поверхности подложек и пластин 5
Возможно вы искали - Реферат: Алкадиены. Каучук
3.1. Возникновение загрязнений 5
3.2. Источники загрязнений 6
3.3. Виды загрязнений 6
4. Методы удаления загрязнений 8
4.1. Классификация методов очистки пластин и подложек 8
Похожий материал - Реферат: Нефть
4.2. Способы жидкостной обработки пластин и подложек 9
4.2.1. Обезжиривание 9
4.2.2. Травление 10
4.2.3. Промывание пластин и подложек 13
4.2.4. Интенсификация процессов очистки 13
Очень интересно - Реферат: Химия
4.3. Способы сухой очистки пластин и подложек 15
4.3.1. Термообработка 15
4.3.2. Газовое травление 16
4.3.3. Ионное травление 17
4.3.4. Плазмохимическое травление 17
Вам будет интересно - Реферат: Синтез 1,3,5-трийодбензола
4.4. Типовые процессы очистки пластин и подложек 19
5. Заключение 20
6. Список литературы 20
1. Введение
Современный этап развития радиоэлектроники характеризуется широким применением интегральных микросхем (ИМС) во всех радиотехнических системах и аппаратуре. Это связано со значительным усложнением требований и задач, решаемых радиоэлектронной аппаратурой, что привело к росту числа элементов в ней. За каждое десятилетие число элементов в аппаратуре увеличивается в 5-20 раз. Разрабатываемые сейчас сложные комплексы аппаратуры и системы содержат миллионы и десятки миллионов элементов. В этих условиях исключительно важное значение приобретают проблемы повышения надежности аппаратуры и ее элементов, микроминиатюризации электро-радиокомпонентов и комплексной миниатюризации аппаратуры. Все эти проблемы успешно решает микроэлектроника.
Интегральная и функциональная микроэлектроника являются фундаментальной базой развития всех современных систем радиоэлектронной аппаратуры. Они позволяют создавать новый вид аппаратуры - интегральные радиоэлектронные устройства.
Похожий материал - Реферат: Химическая термодинамика
Микроэлектроника - одно из магистральных направлений в радиоэлектронике, и уровень ее развития в значительной степени определяет уровень научно-технического прогресса страны.
Применяют два основных метода изготовления ИМС - полупроводниковый и пленочный.
Первый метод заключается в локальной обработке микроучастков полупроводникового кристалла и придании им свойств, присущих функциям отдельных элементов и их соединений (полупроводниковые интегральные микросхемы).
Второй метод основан на использовании послойного нанесения тонких пленок различных материалов на общее основание (подложку) при одновременном формировании на них схемных элементов и их соединений (пленочные интегральные микросхемы).