Московская Государственная Академия Тонкой Химической Технологии им. М. В. Ломоносова.
________________________________________________________________
Кафедра ТПМ
КУРСОВАЯ РАБОТА
Тема: «Математическое моделирование ионно-имплантированных структур».
Руководитель Евгеньев С. Б.
Выполнил Гнездилов А. Л.
МОСКВА 1999г.
ПЛАН РАБОТЫ:
Возможно вы искали - Реферат: Моделирование процессов переработки пластмасс
1. Общие сведения о процессе ионной имплантации.
2. Постановка задачи.
3. Математическая модель.
4. Программное обеспечение.
5. Техническое обеспечение.
Похожий материал - Реферат: Модификация биологически активными системами синтетического полиизопрена
6. Результаты расчета.
7. Заключение.
8. Литература.
1. Общие сведения о процессе ионной имплантации.
НАЗНАЧЕНИЕ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ
Ионной имплантацией называется процесс внедрения в мишень ионизованных атомов с энергией, достаточной для проникновения в ее приповерхностные области. Успешное применение ионной имплантации определяется главным образом возможностью предсказания и управления электрическими и механическими свойствами формируемых элементов при заданных условиях имплантирования.
Очень интересно - Реферат: Молибден
Наиболее распространенным применением ИИ в технологии формирования СБИС является процесс ионного легирования кремния. Часто приходится проводить имплантацию атомов в подложку, которая покрыта одним или несколькими слоями различных материалов. Ими могут быть как тонкие слои тяжелых металлов (например, Та или TaSi2), так и диэлектриков. Существование многослойной структуры способно вызвать резкие перепады в профиле легирования на границе отдельных слоев. За счет столкновения ионов с атомами приповерхностных слоев последние могут быть выбиты в более глубокие области легируемого материала. Такие "осколочные эффекты" способны вызвать ухудшение электрических характеристик готовых приборов.
Во многих случаях для получения необходимого профиля распределения легирующей примеси в подложке применяют метод, основанный на предварительной загонке ионов с их последующей термической разгонкой в мишени. При этом имплантация проводится с малой энергией ионов.
Общая траектория движения иона называется длиной пробега R, а расстояние, проходимое внедряемым ионом до остановки в направлении, перпендикулярном к поверхности мишени, проецированной длиной пробега Rp.
 |
СХЕМА УСТАНОВКИ
Схема установки для ионной имплантации приведена на рис. 1.
1 - источник ионов
Вам будет интересно - Реферат: Монокристаллический кремень
2 - масс-спектрометр
3 - диафрагма
4 - источник высокого напряжения
5 - ускоряющая трубка
6 - линзы
Похожий материал - Реферат: НЕОРГАНИЧЕСКИЕ АНИООБМЕННИКИ, СИНТЕЗИРОВАННЫЕ НА ОСНОВЕ ГИДРОКСИДОВ МЕТАЛЛОВ
7 - источник питания линз
8 - система отклонения луча по вертикали и система отключения луча
9 - система отклонения луча по горизонтали
10 - мишень для поглощения нейтральных частиц