Рассчитать параметры ИЛЗ на звеньях типа k , с такими данными: 
мкс, 
мкс, 
Ом. Тип импульса - прямоугольный. В SymPowerSystems построить модель.
Количество звеньев типа к определим по формуле (1.1).
. (1.1)
При заданных параметрах tЗ =27 мкс, tФ =0,1 
=9
с, n=5,71 . С учетом округления в большую сторону n=6.
Индуктивность звена определим по формуле (1.2).
Возможно вы искали - Курсовая работа: Линии задержки на ПАВ
. (1.2)
В соответствии с вариантом RН =30 Ом, тогда L=0,000126Гн=0,126 мГн.
Емкость звена определим по формуле (1.3).
. (1.3)
В соответствии с вариантом RН =30 Ом, тогда С=0,14*10-6 Ф=0,14мкФ.
Похожий материал - Реферат: Литография и контактная фотолитография. Позитивные и негативные фоторезисторы
Смоделируем прямоугольный импульс с длительностью фронта tФ =0,1 =9 мкс, для этого пропустим прямоугольный импульс через апериодическое звено с постоянной времени Т, которую определим из формулы (1.4).
, (1.4)
,
.
Учитывая, что время фронта для импульса прямоугольной формы
9 с, подставим:
Очень интересно - Реферат: Логарифмические частотные характеристики и передаточные функции радиотехнической следящей системы
,
(мкс).
С учетом рассчитанных параметров элементов синтезирована электрическая принципиальная схема, приведенная на рисунке 1.1
Рисунок 1.1 - Схема электрическая принципиальная для исследования ИЛЗ на звеньях типа k для количества звеньев п
Вам будет интересно - Реферат: Логические элементы интегральных микросхем
Произвести моделирование схемы и получить графики входных и выходных напряжений при tФ =0.05tИ ; tФ =0.1tИ ; tФ =0.5tИ .
Для tФ =0.05tИ и tФ =0.5tИ воспользоваться той же схемой (рис.1.1), что и для tФ =0.1tИ. В соответствии с формулой (1.4) при tФ =0.05tИ =4.5 мкс постоянная времени Т=0.85 мкс, а при tФ =0.5tИ =45 мкс постоянная времени Т=8.5 мкс.
3. Принять tФ =0.1tИ , произвести моделирование схемы и получить графики входных и выходных напряжений при при количестве звеньев 2n; n; 0,5n.
Схемы для количества звеньев 2n=12 и для 0.5n=3 приведены на рисунках 1.2 и 1.3 соответственно.
Похожий материал - Реферат: Логические элементы на дополняющих МДП-транзисторах. Особенности логических элементов, реализуемых в составе БИС
Рисунок 1.2 - Схема электрическая принципиальная для исследования ИЛЗ на звеньях типа k для количества звеньев 2n
Рисунок 1.3 - Схема электрическая принципиальная для исследования ИЛЗ на звеньях типа k для количества звеньев 0.5n
2. Экспериментальные исследования
2.1 Исследование ИЛЗ на звеньях типа k
Ход работы.