ВСТУП
РОЗДІЛ 1. ВИГОТОВЛЕННЯ ВИВОДІВ МЕТОДОМ ЗВАРЮВАННЯ
1.1 Термокомпресорне зварювання
1.2 Конденсаторна зварка електроконтактів
1.3 Зварювання тиском з непрямим імпульсним нагрівом
Возможно вы искали - Курсовая работа: Методика выполнения прочностных расчетов электрорадиоэлементов и элементов конструкций радиоэлектронной аппаратуры
1.4 Контактне зварювання
1.5 Ультразвукове зварювання
РОЗДІЛ 2. ВИГОТОВЛЕННЯ ВИВОДІВ МЕТОДОМ ПАЙКИ ТА СКЛЕЮВАННЯ
2.1 Приєднання виводів паянням
2.2.Холодне паяння
Похожий материал - Дипломная работа: Методика расчета и оптимизации ячеек памяти низковольтовых последовательных ЭСППЗУ
2.3 Електричні з'єднання за допомогою склеювання
ВИСНОВКИ
ЛІТЕРАТУРА
ВСТУП
Однією з найважливіших операцій завершальної стадії технологічного циклу виготовлення напівпровідникових приладів та інтегральних схем (ІС) є приєднання виводів до готових структур. Монтажні операції, пов'язані з приєднанням виводів, здійснюються, по-перше, для створення внутрішньосхемних з'єднань при монтажі кристалів на підкладках гібридних плівкових мікросхем і мікроскладок (контактний майданчик кристала при цьому з'єднується з контактним майданчиком підкладки за допомогою перемички або безпосередньо); по-друге, для комутації контактних майданчиків кристала ІМС або периферійних контактів гібридних мікросхем і мікроскладок із зовнішніми виводами корпусу [1].
При виробництві планарних напівпровідникових приладів для під’єднання ширших виводів до контактних площадок, де використовується пайка спеціальними низькотемпературними припоями та сплавами, а також різні види зварювання найбільше розповсюджені у виробництві напівпровідникових та оптоелектронних приладів одержали термокомпресорні, ультразвукові методи під’єднання гнучких виводів.
Очень интересно - Курсовая работа: Методика расчета схем амплитудных ограничителей
Розвиток мікроелектроніки потребує розробки принципово нових методів виконання з’єднань в результаті різкого зменшення геометричних розмірів елементів мікросхем і напівпровідникових оптоелектронних приладів. Товщина напівпровідників, які застосовуються для монтажу в мікроелектроніці, складає десятки і сотні мікрон, а товщина активних областей приладів часто становить 0.1 - 10 мкм [2].
Мета роботи : описати найпоширеніші методи зварювання та пайки для виготовлення виводів інтегральних схем.
1. ВИГОТОВЛЕННЯ ВИВОДІВ МЕТОДОМ ЗВАРЮВАННЯ
1.1 Термокомпресорне зварювання
Внутрішній монтаж ІС включає операції по установці, закріпленню ІС в корпусі і виконанню внутрішніх електричних з'єднань. Внутрішні з'єднання контактних майданчиків здійснюються з виводами навісних елементів (у гібридних ІС) і з тонкими перехідними виводами, що йдуть до зовнішніх виводів, що виходять з корпусу (рис. 1.1, а).
Для внутрішніх з'єднань характерний зразкове стократне співвідношення товщини металевих тіл, що сполучаються: тяганина діаметром 50 мкм і плівки товщиною 0,5 мкм (рис. 1.1, б). Контактний майданчик розташований на ізоляційній або напівпровідниковій підкладці. Майдан контактного майданчика складає долі мм2 . Для виконання таких з'єднань найбільш поширена термокомпресорне зварювання.
Вам будет интересно - Реферат: Методология организации климатических испытаний РЭА. Испытания на воздействие тепла и холода
Рис. 1.1 Мікросхема всередині корпусу (а) і схематичне зображення контактного перехідного вузла (б): 1 – зовнішній вивід; 2 – внутрішній вивід (перемичка); 3 – контактний майданчик; 4 – ізолятор; 5 – основа корпусу [3].
Назва термокомпресорне зварювання, запропонованої в 1957 р., точно передає її суть: зварка тиском та з підігріванням. Вона передбачає протікання деформації в зоні з'єднання, що витісняє адсорбовані гази і дуже тонкі жирові і окисні плівки, внаслідок чого відбувається «схоплювання» стислих поверхонь. Області схоплювання виникають на ділянках, де можлива взаємодія між вільними електронами атомів тіл, що сполучаються, і утворення міжатомного зв'язку. Для цього необхідне подолання енергетичного бар'єру підвищенням енергії атомів. Підвищення енергії проводять нагрівом і пластичною деформацією. Чим вище температура, тим при меншому тиску зачинається зчеплення, оскільки полегшується руйнування окисних плівок. Твердість ковкого металу зволікання істотно зменшується, а твердість окисних плівок із зростанням температури міняється мало. При нагріві в результаті збільшення пластичності металу легше утворюються великі поверхні зіткнення і знімається руйнівна для шва внутрішня механічна напруга. [4]
При термокомпресорному зварюванні метали нагріті до температури стану рекристалізації (відпалу) tп (≈400°C) або декілька вище, але на 20°С нижче найнижчої температури евтектики системи. При цій температурі зчеплення виникає при мінімальному навантаженні здавлення, якщо товщина окисної плівки нікчемно мала. У міру потовщення окисної плівки навантаження здавлення повинне зростати для руйнування і витискування осколків окисної плівки із зони контакту.
Термокомпресорно зварювані матеріали класифікують на три групи:
а) метали з хорошою взаємною дифузією в твердому стані і створюючі тверді розчини Au–Cu (володіють якнайкращими зварювальними властивостями);
Похожий материал - Реферат: Методы анализа монтажа, замены, исключения "черного ящика"
б) матеріали, створюючі між собою низькотемпературні евтектики А1, – Si, Au – Si (володіють задовільними зварювальними властивостями);
в) метали, взаємна дифузія яких приводить до утворення интерметаличних з'єднань і евтектик Au–Al, Al–Sn (володіють задовільними зварювальними властивостями лише при виконанні певних умов).
Рис. 1.2 Схема термокомпресії з підігріванням: 1 - робочий інструмент; 2 - підігрівач робочого інструменту; 3 - приєднувальний провідник; 4 - підкладка; 5 - підігрівач підкладки, встановлений на робочому столику [3].