Содержание
Введение
1. Обоснование схемы выходного каскада усилителя
2. Расчет параметров выходного каскада
2.1 Расчет режима цепи по постоянному и переменному току
2.2 Расчет элементов цепи смещения
2.3 Расчет входной цепи каскада
2.4 Расчет КПД каскада для максимального входного сигнала
3. Расчет фазоинверсного каскада
3.1 Выбор транзистора
3.2 Расчет режима работы
3.3 Расчет параметров цепи стабилизации режима и цепи смещения
3.4 Расчет входной цепи каскада
4. Расчет входного каскада
Список литературы
Введение
Основной целью курсового проекта является овладение методикой и навыками инженерного расчета усилителей переменного тока. Усилитель проектируется как функционально и конструктивно законченное устройство. Число питающих напряжений должно быть минимально.
Усилитель включает в себя следующие составные блоки:
- входной каскад;
Возможно вы искали - Курсовая работа: Проектирование участка грунтования кузова легкового автомобиля ХТОП 0934.240501.006 КР
- каскад предварительного усиления (один или несколько);
- фазоинверсный каскад;
- цепь обратной связи;
- цепь питания;
- источник сигнала.
Похожий материал - Курсовая работа: Проектирование участка льнопрядильной фабрики

Рисунок 1 (Структурная схема усилителя)
ВХ – входной каскад;
ПУ – каскад предварительного усиления;
ФИК – фазоинверсный каскад;
Очень интересно - Дипломная работа: Проектирование участка мелкой листовой штамповки
ВЫХ – выходной каскад.
1 Обоснование схемы выходного каскада усилителя
В этом пункте определяется тип используемого каскада – трансформаторный или бестрансформаторный. Для этого проводится ряд расчетов.
Амплитудное значение коллекторного напряжения транзистора:
![]()
Вам будет интересно - Лабораторная работа: Проектирование участка механического цеха по изготовлению детали вал-шестерня
Амплитудное значение коллекторного тока транзистора:

Выбираем по току транзистор
. Нам подходит транзистор КТ819.
Определяется необходимое напряжение источника питания:
,
Похожий материал - Дипломная работа: Проектирование участка по восстановлению посадочных отверстий блок-картеров
Где rнас – внутреннее сопротивление транзистора в режиме насыщения.
rнас - находим по выходным характеристикам транзистора КТ819 (приложение 1). В нашем случае для транзистора КТ819

Тогда: