Зміст
Вступ
1. Планарна технологія виготовлення транзисторів
2. Що таке інтегральна мікросхема?
3. Плівкова технологія
Возможно вы искали - Реферат: Поняття та класифікація систем радіоавтоматики
4. Деякі особливості технології виготовлення інтегральних мікросхем
5. Наслідки появи мікроелектроніки
6. Література
Вступ
Мікроелектроніка – новий напрям електроніки, що охоплює наукові та технологічні проблеми дослідження конструювання, виробництва і застосування радіоелектронних пристроїв у мікромініатюрному інтегральному виконанні. Мікроелектроніка є самостійною дисципліною, вивчення якої передбачається на старших курсах. Тому в рамках даного курсу радіоелектроніки ми обмежимося лише загальними відомостями про її виникнення, розвиток, проблеми, які розв'язуються нею, та перспективами на майбутнє.
Похожий материал - Реферат: Пороги и методы фильтрации речевого сигнала в вейвлет области
Основним питанням мікроелектроніки є технологія виготовлення мікроелектронних пристроїв, тому саме цьому питанню і буде приділена найбільша увага. Ми аж ніяк не претендуємо ні на повноту, ані на вичерпний виклад усіх тих різноманітних нових технологій, які починають знаходити застосування у сучасній мікроелектроніці. Наша задача – дати поняття, хай навіть у дещо спрощеній формі, про найбільш поширені технологічні процеси, за допомогою яких натепер виготовляється більшість інтегральних мікросхем.
Оскільки основною технологічною задачею мікроелектроніки є виготовлення транзистора, почнемо саме з нього.
1.Планарна технологія виготовлення транзисторів
Основним сучасним методом виготовлення транзисторів є планарна технологія. Транзистори, виготовлені за цією технологією, називаються планарними. Така назва походить від англійського слова plane – площина, оскільки транзисторні структури створюються на площинній поверхні напівпровідникового кристалу.
У спрощеному вигляді послідовність операцій планарної технології для виготовлення біполярного npn-транзистора показана на рис.7.1. Вихідним матеріалом є пластинка з донорно-легованного кремнію товщиною в частки міліметру. Поверхня пластинки окислюється, на ній вирощується тонкий захисний шар оксиду кремнію Sі02 (рис.7.1а). У захисному шарі протравлюється отвір ("вікно"), крізь яке шляхом дифузії з газової або парової фази у приповерхневий шар кремнію вводиться акцепторний домішок, внаслідок чого під "вікном" утворюється дірково-провідна область (рис.7.1б). Далі цей процес повторюється і в приповерхневий шар кремнію вводиться донорний домішок, котрий створює нову сильнолеговану область (рис.7.1в). В результаті в напівпровіднику утворюється характерна для біполярного транзистора тришарова npn структура, де n-провідна пластина служить колектором, верхня n+-область – емітером, а проміжний p-шар – базою.
Очень интересно - Реферат: Порядок установки и корректировки МПИ эталонов. Поверка электронных аналоговых и цифровых вольтметров и амперметров
Повторним окисленням поверхня пластинки кремнію знову вкривається шаром оксиду Sі02 , в якому навпроти колектора, бази та емітера протравлюються невеликі отвори. В ці отвори напилюється метал (звичайно алюміній), який створює контактні площинки, що є відповідно виводами колектора, бази та емітера транзистора (рис.7.1г).
Найбільш тонким і відповідальним процесом планарної технології є створення "вікон".
Для цього застосовується метод фотолітографії. Суть його така. Поверхня оксиду кремнію вкривається фоторезистом – речовиною, яка здатна полімеризуватися під дією ультрафіолетового світла. Далі на фоторезист накладається фотошаблон – прозора платівка з нанесеним на неї зображенням, темні місця якого відповідають розташуванню майбутніх вікон[1] . Крізь фотошаблон фоторезист опромінюється ультрафіолетовим світлом від кварцової лампи. У засвічених місцях фоторезист полімеризується, а там, куди ультрафіолет не потрапив, він потім легко змивається розчинником. Наступна опeрація – пластинку травлять в концентрованій плавиковій кислоті, яка роз’їдає оксидну плівку лише в тих місцях, де вона не захищена шаром полімеризованого резисту. І нарешті, фоторезист, що залишився, видаляють спеціальним розчинником. Тепер можна приступити до наступних технологічних операцій[2] .
Операції по створенню вікон звичайно доводиться повторювати по кілька разів. Головна складність полягає у тому, що нові вікна повинні бути саме в тих місцях, які відповідають раніше створеній структурі p – та n-областей. Враховуючи, що планарний транзиcтор має розміри в частки міліметра (а іноді і значно менші), точність суміщення фотошаблонів повинна бути дуже високою – порядку кількох мікронів.
Звичайно, виготовляти у такій спосіб транзистори по одному було б надто трудомістким та дорогим процесом. Тому на напівпровідниковій пластинці площею в кілька квадратних сантиметрів вирощують водночас кілька сотень (а іноді й тисяч) транзисторів. Для цього потрібні лише фотошаблони, на яких зображення відповідної структури повторюється багаторазово. Така технологія зветься гpуповою, оскільки водночас створюється ціла група ідентичних транзисторів.
Вам будет интересно - Реферат: Последние нововведения: ШИМ-контроллеры
Рис.1. Послідовність операцій планарної технології виготовлення біполярного транзистора.
а) окислення поверхні напівпровідникової пластинки.
б). протравлювання вікон та введення р-домішки.
в). введення n-домішки.
Похожий материал - Реферат: Последовательности одиночных сигналов. Монохроматический и принятый сигнал
г). створення контактних площинок.
Рис.2. Послідовність операцій планарної технології виготовлення МОН - транзистора з індукованим каналом.
а). окислення поверхні напівпровідникової пластинки.
б). протравлювання вікон та створення високолегованих областей витоку і стоку.