Національний університет
“Львівська політехніка”
Курсова робота
З курсу: “Фізика польових напівпровідникових приладів і компонентів інтегральних схем на основі МОН-структур ”
на тему: “Розрахунок електричних параметрів і характеристик польового транзистора з керуючим р-n-переходом ”
Виконав:
Возможно вы искали - Курсовая работа: Розрахунок електронних схем
Перегинець І.І.
Прийняв:
п роф. Дружинін А.О .
Львів 2002
Завдання :
1 . Принципова відмінність польових транзисторів від біполярних.
2 . Намалювати сім’ю ВАХ і характеристик передачі.
Похожий материал - Курсовая работа: Розрахунок каналу обробки аналогового сигналу
3 . Які фізичні фактори відповідають за нелінійність ВАХ.
4 . Розрахувати опір ділянки кола стік-витік транзистора у відкритому стані при концентрації донорів в каналі Nd, акцепторів в р області Na, довжині каналу L, ширині-W і товщині-d.
5 . Який з параметрів польового транзистора характеризує йогопідсилювальну властивість врежимі малих сигналів? Визначити його максимальну величину.
6 . Від чого залежить ширина ОПЗ затворного р+ -n-переходу.Оцінити цю ширину.
7 . Дати визначення й розрахувати напругувідсікання.
Очень интересно - Курсовая работа: Розрахунок керованого випрямляча за схемою з нульовим виводом
8 . Чим зумовлена бар‘єрна ємність затворного р-n-переходу?
9 . Розрахувати вхідну ємність р-n-переходу.
10 . Які фізичні процеси обмежують діапазон робочих частот.
11 . Розрахувати максимальну робочу частоту транзистора
12 . Яку технологію можна використати при розробці транзистора.
Вам будет интересно - Контрольная работа: Розрахунок кіл несинусоїдного струму
Дані для розрахунку курсової роботи:
Nd =1·1021 (м-3 )- концентрація донорів;
Na =2·1024 (м-3 )-концентрація акцепторів;
L=15·10-6 (м)- довжина каналу;
W=300·10-6 (м)-ширина каналу;
Похожий материал - Курсовая работа: Розрахунок радіоприймального пристрою цифрової системи передачі інформації
d0 =0,8·10-6 (м)- віддаль між металургійними межами;
e=12,5-діалектрична проникливість кремнію;
e0 = 8.85·10-6 -діалектрична проникливість у вакумі;
mn =0,14(м2 /В×с)-рухливість електронів;