В качестве условия задаётся сеть, изображённая на рисунке 1. На ней представлены узлы коммутации (УК) и оконечные транспортные станции (ОТС), соединённые между собой абонентскими (а.л.) и соединительными (с.л.) линиями. Кроме того задаётся способ коммутации и некий признак для выбирания маршрутов между заданными оконечными транспортными станциями по варианту для каждого студента индивидуально.
Рисунок 1 – Сеть связи (задание)
Требуется:
1. Вычленить из множества возможных путей подмножество путей в соответствии с заданием.
Возможно вы искали - Реферат: Сети с коммутацией пакетов в виртуальных каналах
2. Решить задачу графически, построив систему вложенных «чёрных ящиков» для заданной сетевой технологии.
3. Записать полученное решение в аналитическом виде.
Индивидуальное задание (вариант №11):
соединяемые оконечные транспортные станции: ОТС3 и ОТС2;
вид коммутации: коммутация сообщений;
Похожий материал - Курсовая работа: Сеть связи России
способ выбора маршрутов: все возможные маршруты.
Решение
1. Построение множества доступных путей.
Для осуществления данной операции, запишем все возможные пути между ОТС3 и ОТС2, и подсчитаем их ранги (число входящих в них соединительных линий).
В схеме, представленной на рисунке 1, доступны следующие маршруты ОТС3 – ОТС2:
Очень интересно - Курсовая работа: Сигнализатор СВК 3М-1
. 
. 
. 
2. Произведём графическое решение поставленной задачи.
Вам будет интересно - Курсовая работа: Сигналы и процессы в радиотехнике СиПРТ
На рисунке 2 произведено построение графического решения поставленной задачи, система вложенных «чёрных ящиков» для заданной сетевой технологии (коммутация сообщений).
Рисунок 2 – Сеть вложенных чёрных ящиков для КС
3. Аналитическое решение задачи:
ЧЯТКС = ({[((((а.л.3 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.1 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((а.л.2 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ)] Λ2×ЗУ} V{[((((а.л.3 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.4 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.1 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.2 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((а.л.2 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ)] Λ4×ЗУ} V{[((((а.л.3 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.4 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.6 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.7 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.8 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((а.л.2 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ)] Λ5×ЗУ} V{[((((а.л.3 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.4 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.1 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.3 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.8 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((а.л.2 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ)] Λ5×ЗУ} V{[((((а.л.3 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.4 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.6 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.7 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.3 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((с.л.2 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ) + ((((а.л.2 + 2×МФУ) + 2×МКУ) + 2×МСУ) + 2×МТУ)] Λ6×ЗУ}) .
Похожий материал - Реферат: Силові IGBT і MOSFET транзистори