Контрольное задание №1
Исходные данные (Вариант №4):
| Еп, В | 9 |
| I0K, мА | 12 |
| U0КЭ , В | 4 |
| EГ , мВ | 50 |
| RГ , кОм | 0,6 |
| fН , Гц | 120 |
| fВ , кГц | 10 |
| M, дБ | 1 |
| tСМИН , о C | 0 |
| tСМАКС , о C | 35 |
Изобразим полную принципиальную схему предварительного каскада элементами связи с источником сигнала и последующим каскадом.
Выберем тип транзистора исходя из заданного режима его работы и частоты верхнего среза усилителя fВ
Возможно вы искали - Контрольная работа: Функциональный генератор мод. 458.90, фирмы МТС
Еп=9В; I0K =12 мА; fВ =10кГц
Возьмем низкочастотный транзистор малой мощности. Например ГТ108А [3]. Это германиевый сплавной транзистор p-n-p типа.
Выпишем его основные параметры из справочника [3]:
| Параметры | Режим измерения | ГТ108А |
| h21ЭМИН | UКЭ =-5В; IЭ =1 мА; tС =20 о C | 20 |
| h21ЭМАКС | 55 | |
| СК, пФ | UКБ =-5В; f=465 кГц | 50 |
| τК, нс | UКБ =-5В; f=465 кГц | 5 |
| fh21Э, МГц | UКЭ =-5В; IЭ =1 мА | 0,5 |
| IКБО, мкА | UКБ =-5В; tС =20 о C | 15 |
Рассчитаем параметры малосигнальной модели биполярного транзистора [1].
Среднее значение коэффициента передачи тока равно:
Похожий материал - Контрольная работа: Функціональні і структурні схеми систем радіоавтоматики
(1.1)
h 21Э =33,2.
Выходная проводимость определяется как
(1.2)
h 22Э =1,2*10-4 См.
Очень интересно - Реферат: Характеристика дискретных систем автоматического управления
Здесь UA — напряжение Эрли, равное 70... 150 В у транзисторов типа р-n-р.
Объемное сопротивление области базы rБ можно определить из постоянного времени τК коллекторного перехода:
(1.3)
rБ =100 Ом
Дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода определяется по формуле:
Вам будет интересно - Реферат: Характеристика РЭСИ как объекта теории надежности. Основные показатели безотказности для невосстанавливаемых объектов
(1.4)
r Б’Э =74 Ом
где 
=2,2 Ом дифференциальное сопротивление эмиттера;
0,026 В — температурный потенциал при Т= 300 К;
m=1 — поправочный коэффициент, принимаемый примерно равным 1 для германиевых транзисторов.
Похожий материал - Статья: Характеристика та використання систем відеоспостереження
Входное сопротивление транзистора:
(1.5)
h 11Э =174 Ом
Емкость эмиттерного перехода равна: