Содержание
Введение.
Глава 1. Квантовые ямы
1.1 Технология изготовления квантовых ям
1.2 Особенности энергитических уровней
Возможно вы искали - Курсовая работа: Получение арсенида галлия
1.3 Применение квантовых наноструктур в электронике
Глава 2. Квантовые проволоки, нити
2.1 Квантовая проволока
2.2 Особенности квантовых проволок
2.3 Квантовые нити. Изготовление квантовых нитей
Похожий материал - Реферат: Получение, распределение и передача энергии
Глава 3. Квантовые точки
3.1 Технология изготовления квантовых точек
3.2 Особенности квантовых точек
Глава 4. Сверхрешётки
4.1 Сверхрешётки. Виды сверхрешеток
Очень интересно - Контрольная работа: Поляризация материи и пространства-времени
4.2 Физические свойства сверхрешеток
4.3 Технология изготовления сверхрешеток
4.4 Энергетическая структура полупроводниковых сверхрешеток
4.5 Исследование полупроводниковых сверхрешеток
4.6 Применение сверхрешеток в электронике
Вам будет интересно - Реферат: Поляризація світла
Заключение
Список литературы
Введение
В первой половине 50-х годов XX в перед Физико-техническим институтом им. А.Ф. Иоффе была поставлена задача создать отечественные полупроводниковые приборы для внедрения в отечественную промышленность. Перед лабораторией стояла задача: получение монокристаллов чистого германия и создание на его основе плоскостных диодов и триодов. При участии Алфёрова Жореса Ивановича были разработаны первые отечественные транзисторы и силовые германиевые приборы. Открытие Ж.И. Алфёровым идеальных гетеропереходов и новых физических явлений – «суперинжекции», электронного и оптического ограничения в гетероструктурах – позволило также кардинально улучшить параметры большинства известных полупроводниковых приборов и создать принципиально новые, особенно перспективные для применения в оптической и квантовой электронике.
В начале 90-х годов одним из основных направлений работ, проводимых под руководством Ж.И. Алфёрова, становится получение и исследование свойств наноструктур пониженной размерности: квантовых проволок и квантовых точек.
Похожий материал - Реферат: Понятие колебательного явления. Бифуркация. "Жесткие" и "мягкие" режимы
В 1993-1994 годах впервые в мире реализуются гетеролазеры на основе структур с квантовыми точками – «искусственными атомами». В 1995 году Ж.И. Алфёров со своими сотрудниками впервые демонстрирует инжекционный гетеролазер на квантовых точках, работающий в непрерывном режиме при комнатной температуре. Принципиально важным стало расширение спектрального диапазона лазеров с использованием квантовых точек на подложках GaAs. Таким образом, исследования Ж.И. Алфёрова заложили основы принципиально новой электроники на основе гетероструктур с очень широким диапазоном применения, известной сегодня как «зонная инженерия».
Глава 1. Квантовые ямы
1.1 Технология изготовления квантовых ям
Простейшая квантовая структура, в которой движение электрона ограничено в одном направлении, – это тонкая пленка или просто достаточно тонкий слой полупроводника. Именно на тонких пленках полуметалла висмута и полупроводника InSb впервые наблюдались эффекты размерногоквантования [2]. В настоящее время квантовые структуры изготавливают иначе. Рассмотрим структуру энергетического спектра полупроводников. Этот спектр состоит из разрешенных и запрещенных энергетических зон, которые сформированы из дискретных уровней атомов, образующих кристалл. Самая высокая энергетическая зона называется зоной проводимости. Ниже зоны проводимости расположена валентная зона, а между ними лежит запрещенная зона энергий. У одних полупроводников запрещенные зоны широкие, а у других более узкие. Что произойдет, если привести в контакт два полупроводника с различными запрещенными зонами (граница таких полупроводников называется гетероструктурой). На рис. 1 изображена граница узкозонного и широкозонного полупроводников. Для электронов, движущихся в узкозонном полупроводнике и имеющих энергию меньше 
, граница будет играть роль потенциального барьера. Два гетероперехода ограничивают движение электрона с двух сторон и как бы образуют потенциальную яму.