Выполнил:
Проверила:
Харьков 2002
РЕФЕРАТ
Пояснительная записка к курсовой работе содержит 16 с., 4 рис.
В данной курсовой работе требуется рассчитать элементы П-образной эквивалентной схемы транзистора на низких и высоких частотах для включения с общим эмиттером. Для того чтобы осуществить расчеты и исследовать зависимости, следует воспользоваться программой MathCAD 2000.
Необходимо представить структуру транзистора для лучшего понимания принципа действия и технологического процесса изготовления.
Возможно вы искали - Лабораторная работа: Расчет теплообменников
Перечень ключевых слов:
ЭМИТТЕР, БАЗА, КОЛЛЕКТОР, ДРЕЙФОВЫЙ ТРАНЗИСТОР, ПОЛЕ БАЗЫ, Y–ПАРАМЕТРЫ, ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА, ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ДРЕЙФОВОГО ТРАНЗИСТОРА.
СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Анализ технического задания
Похожий материал - Курсовая работа: Расчет технико-экономических показателей механического цеха
2. Расчетная часть
2.1. Расчет дрейфового поля транзистора
2.2. Расчет
2.3. Расчет сопротивлений транзистора
2.4. Расчет зарядных емкостей транзистора
Очень интересно - Курсовая работа: Расчет технических параметров станков
2.5. Расчет максимальной частоты
2.6. Расчет Y-параметров для схемы с ОЭ
3. Эквивалентные П-образные схемы
3.1. Эквивалентная П-образная схема на НЧ для включения с ОЭ
3.2. Эквивалентная П-образная схема на ВЧ для включения с ОЭ
Вам будет интересно - Курсовая работа: Расчет технологических параметров непрерывной разливки стали
4. Зависимость максимальной частоты от напряжения коллектор-эмиттер
5. Конструкторско-технологическая часть
5.1. Структура транзистора
5.2. Описание технологии получения дрейфового транзистора
Заключение
Похожий материал - Курсовая работа: Расчет технологических, теплотехнических и конструктивных параметров машин непрерывного литья заготовок
Перечень ссылок
ВВЕДЕНИЕ
Инженер по эксплуатации радиоэлектронных систем должен знать принципы их работы, применения и повседневного обслуживания. Успешное выполнение этих задач невозможно без знания элементной базы этих систем и, в первую очередь, наиболее сложной и ответственной части элементной базы - транзисторов и интегральных микросхем.
Широкое применение получили дрейфовые транзисторы, основной особенностью которых является неравномерное распределение примесей в базе. Такое распределение примесей в базовом слое транзистора приводит к образованию электрического поля, увеличивающего скорость движения носителей. При этом перенос носителей осуществляется не только за счет диффузии, но также и за счет дрейфа носителей в электрическом поле.