Введение
Глава 1. Свойства исследуемых объектов и методы измерения электронной плотности по упругому рассеянию
1.1 Свойства исследуемых объектов
1.2 Методы измерения электронной плотности по упругому рассеянию
Глава 2. Неупругое рассеяние рентгеновских лучей веществом
Возможно вы искали - Реферат: Обзор современного состояния энергоресурсов человечества
2.1 Импульсная аппроксимация
2.2Экспериментальные методы исследования комптоновского рассеяния
2.3 Атомно - рассеивающий фактор и распределение радиальной электронной плотности в литии по комптоновским профилям
Глава 3. Методика измерений и обработки результатов
3.1. Подготовка образцов и методика измерений
Похожий материал - Дипломная работа: Оценка эффективности инвестиционного проекта строительство парогазовой установки мощностью 410 МВт
3.2 Методика обработки дифракционных максимумов
3.3 Анализ результатов эксперимента
Заключение
Список используемой литературы
Введение
Экспериментальные исследования распределения электронных плотностей в кристаллах по данным рентгено - и нейтронографических измерений в последние годы значительно расширились. Этому способствует, во-первых, то обстоятельство, что получаемые карты распределения электронных плотностей в кристаллах дают возможность не только качественно судить о характере связи, но и количественно определять ряд физических свойств кристаллов. Метод определения физических свойств кристаллов по рентгенографическим данным распределения электронных плотностей в кристаллах, предположенный и развитый институтом физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси, находит широкое признание и используется во многих исследовательских центрах. Во-вторых, успешному развитию исследований природы химической связи рентгено - и нейронографическими методами в последнее время способствует значительное повышение точности абсолютных измерений интенсивности дифракционных рефлексов и определение кривых атомнорассеивающих факторов.
Очень интересно - Реферат: Световод: уравнение, типы волн в световодах. Критические длины и частоты
Очевидно, что функция распределения электронной плотности в кристалле – не только важнейшая характеристика особенности химической связи, но и непосредственно количественно связана с волновой функцией, являясь квадратом ее модуля. Поэтому определение распределения электронной плотности различными способами – по данным рассеяния рентгеновских лучей и электронов, методами ядерного гамма-резонанса, по комптоновским профилям и другими методами – важнейшая задача экспериментального исследования химической связи и представляет собой экспериментальную основу квантовой химии.
Проблема восстановления волновой функции, достаточно точно описывающей действительное распределение электронов в кристалле и, следовательно, особенности межатомной химической связи, до сих пор не может считаться полностью решенной. Наиболее прямые методы нахождения функции распределения электронной плотности в кристаллах по рассеянию рентгеновских лучей, электронов и нейронов приводят к достаточно надежным результатам лишь для кристаллов, для которых первые бреговские рефлексы лежат при сравнительно малых значениях вектора обратной решетки. Для кристаллов этого типа интенсивности первых рефлексов в значительной мере определяются самой внешней частью электронных орбиталей. Однако к данному типу относится скорее меньшинство, чем большинство кристаллов.
Для восстановления и уточнения волновых функций, характеризующих истинное распределение внешней части электронов, в ряде случаев удобно и целесообразно использование косвенных методов, непосредственно характеризующих не функции распределения внешних электронов, а функции распределения момента количества движения, энергии ионизации, плотности состояния по энергиям.
В первую очередь к числу подобных методов следует отнести изучение комптоновских профилей. Открытый Комптоном эффект, как показал ряд исследований, в особенности работы Вейсса и его сотрудников, - весьма удобный и мощный метод изучения проблем химической связи. Существенными факторами, ограничивающими возможности исследования комптоновских профилей для изучения особенностей межатомной химической связи, являются чрезвычайно малая их интенсивность, сложность исследования элементов с большим порядковым номером, большая поглощающая способность и др.
Использование данных измерений комптоновских профилей позволяет найти функцию распределения плотности моментов и электронной плотности кристаллов во внешних частях орбиталей атомов. Измерения рассеяния рентгеновских лучей, электронов и нейронов дают возможность определять распределение электронной плотности во внешних и в особенности в средних частях электронных оболочек.
Вам будет интересно - Дипломная работа: Світовий ринок енергоресурсів: стан, проблеми, перспективи
Объектами исследования в настоящей работе являлись литий с ОЦК и
алюминий с ГЦК кубическими решетками, а также бинарное соединение фторид лития со структурой хлорида натрия, предметом – интегральная интенсивность брегговских рефлексов, структурный множитель, функция атомного рассеяния, карты распределения электронной плотности для каждого объекта исследования при комнатной температуре.
Цель исследования – выяснить характер распределения электронной плотности в металлических и ионных кристаллах. Определить зависимость распределения электронной плотности от типа кристаллической решетки с металлической связью.
В соответствии с намеченной целью были поставлены следующие задачи исследования:
1. Систематизировать опыт исследований распределения электронной плотности и потенциала.
Похожий материал - Контрольная работа: Проектирование и расчет системы электроснабжения
2. Рассмотреть методику определения интегральной интенсивности рефлекса исследуемых образцов.
3. Вычислить значения структурного и атомно-рассеивающего факторов лития, алюминия и фторида лития.
4. На основе экспериментальных данных построить карты распределения электронных плотностей лития, алюминия и фторида лития.
Новизна исследования: