СОДЕРЖАНИЕ
Введение
1. Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники
1.1 Свойства и применение арсенида галлия
1.2 Пористая матрица арсенида галлия и её структурные свойства
Возможно вы искали - Курсовая работа: Анализ частотных свойств линейных избирательных цепей
1.3 Оптические свойства пористой матрицы
2. Формирование низкоразмерной среды в арсениде галлия
2.1 Исследование электрофизических параметров исходного монокристаллического арсенида галлия
2.1.1 Определение кристаллографической ориентации подложек
2.1.2 Определение типа проводимости подложек методом термо-ЭДС
Похожий материал - Реферат: Аргоновый лазер
2.1.3 Определение концентрации основных носителей заряда
2.2 Формирование пористой матрицы в арсениде галлия
2.2.1 Электрохимия полупроводников
2.2.2 Технологические условия формирования пористого арсенида галлия
3. Исследование пористого арсенида галлия
Очень интересно - Дипломная работа: Выращивание плёнки GeSi и CaF2 на кремниевых подложках
3.1 Структурные свойства
3.1.1 Оптическая микроскопия
3.1.2 Электронная микроскопия
3.2 Электрические свойства
3.3 Оптические свойства
Вам будет интересно - Контрольная работа: Изучение показывающего и регистрирующего прибора ДИСК–250
Заключение
Список использованных источников
ВВЕДЕНИЕ
В настоящее время основным материалом функциональной электроники является ареснид галлия, как самый универсальный по своим электрофизическим свойствам из всех полупроводниковых материалов типа
.
Физико-химические свойства пористых полупроводников достаточно давно привлекают внимание исследователей, применяющих подобные материалы в технологии полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. Так, пористый кремний, получаемый обычно методом электрохимического травления, широко используется в технологии «кремний на диэлектрике», для создания проводящих слоёв, а также в качестве подложек для гетероэпитаксии [6]. Интерес к пористым полупроводникам заметно возрос после обнаружения интенсивной фотолюминесценции у пористой модификации кремния – изначально полупроводника со слабой излучательной способностью [7–10]. Условия получения и свойства пористого арсенида галлия пока остаются малоизученными. В литературе встречаются лишь отрывочные данные, свидетельствующие о возможности его получения методом электрохимического травления [11–13].
Похожий материал - Дипломная работа: Интегрированные системы безопасности в гражданской авиации
Согласно литературным данным, процесс порообразования в арсениде галлия происходит по схеме порообразования кремния, но со своей спецификой: результаты исследований говорят о том, что слои пористого арсенида галлия имеют нестихиометричный состав со значительным избытком атомов мышьяка. Установлено, что скелетную основу слоёв составляют столбики-перегородки, разделённые системой пор, ориентированных вдоль кристаллографического направления [111]. Пористые слои сохраняют монокристаллическую структуру подложки, но могут иметь изменённый параметр решётки – Δа/а
.
1 Арсенид галлия как перспективный материал микро- и наноэлектроники
1.1 Свойства и применение арсенида галлия
Арсенид галлия – один из перспективных полупроводниковых материалов, который благодаря своим свойствам находит широкое применение в разработке новых типов полупроводниковых приборов.