ГОУ ВПО Уральский государственный технический университет-УПИ
Кафедра «Радиоэлектроника информационных систем»
Оценка работы____________
Члены комиссии___________
УСИЛИТЕЛЬНЫЙ КАСКАД НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕКУРСОВАЯ РАБОТА
ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА
Подпись Дата Ф.И.О.
Руководитель Елфимов В.И.
Студент Костарева Т.В.
Возможно вы искали - Курсовая работа: Система частотной автоподстройки
Группа: Р-224б
Номер зачетной книжки 09111006
Екатеринбург 2003
Оглавление
1. Цель курсовой работы
2. Задание на курсовую работу
Похожий материал - Курсовая работа: Исследование двухконтурной цепи связи генератора с нагрузкой
3. Содержание курсовой работы
Список используемой литературы
Приложение 1. Перечень элементов
Приложение 2. Принципиальная схема усилительного каскада
1. Цель курсовой работы
Цель курсовой работы состоит в закреплении знаний, полученных при изучении дисциплины «Электроника», в получении опыта разработки и расчета основных характеристик усилительных каскадов, в развитии навыков выполнения информационного поиска, пользования справочной литературой, определения параметров эквивалентных схем биполярных и полевых транзисторов, в создании разностороннего представления о конкретных электронных элементах.
Очень интересно - Курсовая работа: Расчет RC-генератора на терморезисторе
2. Задание на курсовую работу
В ходе выполнения курсовой работы необходимо для заданного типа транзистора выписать паспортные параметры и статические характеристики, в соответствии со схемой включения и величинами элементов схемы усилительного каскада выбрать положение режима покоя, для которого следует рассчитать параметры эквивалентных схем транзистора и малосигнальные параметры транзистора, графоаналитическим методом определить основные параметры усилительного каскада.
3. Содержание курсовой работы
1. Паспортные данные
Транзистор КТ602А
Транзистор кремниевый планарный n-p-n универсальный маломощный. Предназначен для применения в схемах генерирования и усиления сигналов радиотехнических устройств.
Вам будет интересно - Лабораторная работа: Исследование свойств звена при охвате обратной связью
Электрические параметры
Граничное напряжение при Iэ=50 мА, t=5 мкс, f=2 кГц ……………70 В
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА .3В
Напряжение насыщения база-эмиттер при Iк=50 мА, Iб=5 мА..…….3 В
Емкость коллекторного перехода при Uкб=50 В, f=2 МГц, не более 4пФ
Похожий материал - Реферат: Цифровая обработка сигналов 3
Емкость эмиттерного перехода при Uэб=0 В, f=2 МГц, не более 25 пФ
Постоянная времени цепи обратной связи при Uкб=10 В, Iк=10 мА, f=2 МГц, ...300 пс
Граничная частота…………………………………………….…150 МГц
Обратный ток коллектора при Uкб=120 В, Т=298 К, не более:..70 мкА