Содержание
Техническое задание
Топологический расчет транзистора
Расчет геометрических размеров резисторов
Расчет геометрических размеров конденсаторов
Возможно вы искали - Дипломная работа: Разработка интегральной микросхемы истокового повторителя для слухового аппарата
Расчет топологии полупроводникового кристалла
Технологические процесс изготовления ИМС
Биполярные микросхемы с изоляцией р-п переходом
Заключение
Список литературы
Похожий материал - Курсовая работа: Расчет геометрических размеров резисторов и разработка топологии интегральных микросхем
Введение
Основополагающая идея микроэлектроники – конструктивная интеграция элементов схемы – приводит к интеграции конструкторских и технологических решений, при этом главной является задача обеспечения высокой надежности ИМС.
Важнейшей задачей проектирования является разработка быстродействующих и надежных схем, устойчиво работающих при низких уровнях мощности, в условиях сильных паразитных связей (при высоко плотности упаковки) и при ограничениях по точности и стабильности параметров элементов.
При технологическом проектировании синтезируется оптимальная структура технологического процесса обработки и сборки ИМС, позволяющая максимально использовать типовые процессы и обеспечивать минимальные трудоемкость изготовления и себестоимость микросхем.
Техническое задание
Очень интересно - Реферат: Расчет неинвертирующего усилителя
Разработка конструкции, топологии и технологического процесса ИМС по заданной электрической схеме.
Схема электрическая принципиальная приведена на рис. 1.
Описание работы схемы.
Схема электрическая принципиальная приведена на рис. 1.
Данная схема обеспечивает обработку сигналов, поступающих на вход схемы, и выдачи сигнала на выход. Транзисторы VT1-VT4 обеспечивают усиление по току.
Вам будет интересно - Контрольная работа: Измерительная и проверочная аппаратура
Таблица 1. Номинальные значения элементов
|
R1 |
6,8 кОм±5% |
R6 |
Похожий материал - Реферат: Фотоэлектрические датчики 6,8 кОм±5% |
VT1…VT3= =BC817-25 |
VT4= |