Министерство образования РФ
Южно-Российский Государственный Технический Университет (НПИ)
ФАКУЛЬТЕТ ИТУ _
Возможно вы искали - Реферат: Матричные фотоприемники
КАФЕДРА А и Т _
СПЕЦИАЛЬНОСТЬ Электроника _
Пояснительная записка
к курсовой работе
по дисциплине Методы анализа и расчёта электронных схем
на тему Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
Выполнил студент III курса, группы 1б Евченко С. Е. __
(Ф.И.О.)
Принял ________________ _____ Савёлов Н. С. ___ _
Похожий материал - Реферат: Методы и алгоритмы компоновки, размещения и трассировки печатных плат
(Ф.И.О.)
НОВОЧЕРКАССК 2001
Содер жание
Введение
1. Проблема математического моделирования биполярных транзисторов
Очень интересно - Реферат: Методы измерения переменных токов и напряжений средней и низкой частоты
2. Описание изучаемого алгоритма
3. Описание программы
4. Решение контрольной задачи
5. Моделирование электронных устройств
Заключение
Вам будет интересно - Реферат: Методы уменьшения шумов и повышения помехоустойчивости электронных устройств
Введение
Развитие вычислительной техники и повышение требований к развиваемой электронной аппаратуре выдвинули на первый план создание систем автоматического проектирования.
До начала шестидесятых годов вычислительные методы использовались при анализе и проектировании цепей крайне незначительно. Квалифицированный инженер мог синтезировать простые цепи, пользуясь минимумом вычислений. Он создавал макет схемы, производил измерения и различные модификации и в результате получал конечный вариант цепи.
В следующем времени ситуация сильно изменилась. Появились интегральные схемы и стали доступными ЭВМ. Оба эти обстоятельства повлияли друг на друга. Интегральные схемы сделали возможным производство более совершенных ЭВМ, а те в свою очередь облегчили проектирование новых интегральных схем. Несомненно, что в этой связи вычислительные методы стали иметь огромное значение.
Технический прогресс сделал возможным проектирование больших функциональных блоков, содержащих в одной схеме тысячи взаимосвязанных транзисторов. Разработка таких схем стала невозможна при экспериментальной отладке на макете.
Похожий материал - Реферат: Микрополосковый метод исследования диэлектрической проницаемости материалов на сверхвысоких частотах
Достоверное моделирование различных полупроводниковых приборов достаточно критично. Проблема моделирования полупроводниковых приборов требует знания физики полупроводников. Но если специалист в области физики полупроводников может предоставить необходимые уравнения специалисту в области САПР, то последнему остаётся ввести их в свои программы. При этом в значительной степени устраняются трудности, связанные с физикой работы прибора.
Если в уравнения, описывающие схему, введены нелинейные модели компонентов, то решить эти уравнения становится достаточно сложно. При этом в программах САПРа затраты машинного времени на определение нелинейных функций, описывающих различные полупроводниковые приборы составляют значительную часть общих затрат времени.
1. Проблема математического моделирования биполярных транзисторов
Под моделированием понимается описание электрических свойств полупроводникового устройства или группы таких устройств, связанных между собой, с помощью математических уравнений, эквивалентных схем или таблиц.