Стр.
1 Принцип действия полевого транзистора
2 Вольт-фарадная характеристика МОП-структуры
3 Расчет стоковых и стокозатворных характеристик
4 Определение напряжения насыщения и напряжения отсечки
Возможно вы искали - Реферат: Расчет усилителя воспроизведения
5 Расчет крутизны стокозатворной характеристики и проводимости канала
6 Максимальная рабочая частота транзистора
1 Принцип действия транзистора
В отсутствии смещений (UЗ =0, UС =0) приповерхностный слой полупроводника обычно обогащен дырками из-за наличия ловушек на границе кремний – оксид кремния и наличия положительных ионов в пленке диэлектрика. Соответственно энергетические зоны искривлены вниз, и начальный поверхностный потенциал положительный. По мере роста положительного напряжения на затворе дырки отталкиваются от поверхности. При этом энергетические зоны сначала выпрямляются, а затем искривляются вниз, т.е. поверхностный потенциал делается отрицательным.
Существует некоторое пороговое напряжение , по превышении которого энергетические зоны искривляются настолько сильно, что в близи поверхностной области образуется инверсный электрический сой, именно этот слой играет роль индуцированного канала.
Похожий материал - Реферат: Расчет усилителя звуковой частоты
1.1 Равновесное состояние
Рисунок 1.1 – Равновесное состояние
Т.к. UЗ =0, то контактная разность потенциалов между металлом и полупроводником равна нулю, то энергетические зоны отображаются прямыми линиями. В таком положении уровень Ферми постоянен при UЗ =0, полупроводник находится в равновесном состоянии, т.е. pn = pi 2 и ток между металлом и полупроводником отсутствует.
1.2 Режим обогащения (UЗ >0)
Если UЗ >0, то возникает поле направленное от полупроводника к затвору. Это поле смещает в кремнии основные носители (электроны) по направлению к границе раздела кремний – оксид кремния. В результате на границе возникает обогащенный слой с избыточной концентрацией электронов. Нижняя граница зоны проводимости, собственный уровень и верхняя граница валентной зоны изгибаются вниз.
Очень интересно - Реферат: Расчет усилителя низкой частоты с блоком питания
Рисунок 1.2 – Режим обогащения
1.3 Режим обеднения (UЗ <0)
Если UЗ <0, то возникает электрическое поле направленное от затвора к подложке. Это поле выталкивает электроны с границы раздела Si – SiO2 в глубь кристалла оксида кремния. В непосредственной близости возникает область обедненная электронами.
Рисунок 1.3 – Режим обеднения
1.4 Режим инверсии (UЗ <<0)
Вам будет интересно - Реферат: Расчет элементов высокочастотной коррекции усилительных каскадов на биполярных транзисторах
При дальнейшем увеличении отрицательного напряжения UЗ , увеличивается поверхностный электрический потенциал US . Данное явление является следствием того что энергетические уровни сильно изгибаются вверх. Характерной особенностью режима инверсии является, то что уровень Ферми и собственный уровень пересикаются.
Рисунок 1.4 – Режим инверсии
1- инверсия;
2- нейтральная.
1.5 Режим сильной инверсии
Концентрация дырок в инверсной области больше либо равна концентрации электронов.
Похожий материал - Реферат: Расчетные работы по электротехнике
1.6 Режим плоских зон
Рисунок 1.5 – Режим плоских зон
1 - обогащенный слой неосновными носителями при отсутствии смещающих напряжений изгибает уровни вниз.
2 Вольт-фарадная характеристика МОП-структуры
Удельная емкость МОП-конденсатора описывается выражением:
(2.1)