Содержание
1. ВВЕДЕНИЕ ……………………………..…………………………………….2
2. n -МОП СБИС ТЕХНОЛОГИЯ …………………………………………… .4
2.1Основы технологии производства n-МОПСБИС……………………4
2.2Этапы технологического процесса….………………………………. 5
Возможно вы искали - Реферат: Сверхпроводимость
3. СБИС ПРОГРАММИРУЕМОЙ ЛОГИКИ (ПЛ.) ……………………… .7
4. МИКРОПРОЦЕССОРЫ……………………………………………………12
5. МАТРИЧНЫЕ МИКРОПРОЦЕССОРЫ ………...……………………. .17
5.1 Матричные микропроцессоры………………………..……………...17
5.2 Транзисторные матрицы………………………………..…………….17
5.3 Матричные процессоры…………………………………..…………..20
5.4 Автоматизация проектирования
Похожий материал - Реферат: Светолучевые и электроннолучевые осциллографы
цифровых СБИС на базе матриц Вайнбергера и транзисторных
матриц………………………………………………………………….…..21
6. АВТОМАТИЗИРОВАННОЕ ПРОЕКТИРОВАНИЕ СБИС ………….26
6.1 Основные типы БМК………………………..…………………….….28
6.2 Реализация логических элементов на БМК…..………………….….30
Очень интересно - Реферат: Свойства стоячих волн
6.3 Системы автоматизированного проектирования матричных бис, постановка задачи проектирования……………………………………...31
6.4 Основные этапы проектирования…………………..………………..33
7. ЗАКЛЮЧЕНИЕ…………………………………………………………... ...35
8. СПИСОК ИСПЛЬЗУЕМОЙ ЛИТЕРАТУРЫ ……………………………37
1. ВВЕДЕНИЕ
С момента появления первых полупроводниковых микросхем (начало 60-х годов) микроэлектроника прошла путь от простейших логических элементов до сложных цифровых устройств, изготавливаемых на одном полупроводниковом монокристалле площадью около 1 см2 . Для обозначения микросхем со степенью интеграции выше 104 элементов на кристалле в конце 70-х годов появился термин "сверхбольшие интегральные схемы" (СБИС). Уже через несколько лет развитие этих микросхем стало генеральным направлением в микроэлектронике.
В начале своего развития электронная промышленность представляла собой отрасль техники, целиком основанную на операциях сборки, и позволяла реализовать весьма сложные функции путем объединения множества элементов в одном изделии. При этом значительная часть прироста стоимости изделий была связана с процессом сборки. Основными этапами этого процесса являлись этапы проектирования, выполнения и проверки соединений между электронными компонентами. Функции и размеры устройств, которые могли быть реализованы на практике, ограничивались количеством используемые компонентов, их физическими размерами и надежностью.
Вам будет интересно - Реферат: Сжатие речевого сигнала на основе линейного предсказания
Исторически сложилось так, что первоначально внимание к ИС привлекли такие их особенности, как малые размеры и масса, а затем развитие техники ИС, позволяющей скомпоновать на поверхности кристалла значительное количество элементов, включая меж соединения, постепенно привело к возможности создания СБИС. Т.о. стало возможным не только "повышение экономичности" электронных схем, но и улучшение их характеристик с одновременным повышением надежности. Развитие техники и технологии СБИС обусловило весьма существенные вменения в специфике электронной промышленности, заключающееся в совершенствовании процесса изготовления ИС и методов их проектирования. Типичным фактором первой группы является совершенствование микро технологии. Уменьшение размеров полупроводниковых приборов позволяет одновременно добиться как улучшения характеристик ИС, формально определяемых законом пропорциональности размеров, так и улучшения их экономических (материальных и энергетических) показателей, связанных с уменьшением площади кристалла.
Исторически первым полупроводниковым материалом, использованным на ранних стадиях разработки полупроводниковых приборов, был германий. Совершенствование германиевой технологии сделало возможным создание ряда приборов, включая германиевые точечные и сплавные транзисторы. Однако вскоре германий был заменен кремнием, обладающим таким важным свойством, как возможность получения в окислительной среде тонкого, прочного и влагонепроницаемого диэлектрического слоя аморфной двуокиси кремния (SiO2 ).
В 60-х годах наибольшее распространение получили ИС на основе биполярных транзисторов. Начиная с 1975 г. на рынке превалируют цифровые ИС на основе МОП-структур. Преимущества ИС на основе МОП-структур:
Миниатюризация.
Низкое потребление мощности.
Похожий материал - Реферат: Синтез логической функции и анализ комбинационных схем
Высокий процент выхода.
Высокое быстродействие.
Высокий уровень технологичности.
В технологии СБИС степень интеграции превышает 215 элементов на кристалл. Уровень миниатюризации, который был использован при производстве процессора Intel Pentium в 1993 году, составлял 0,8 мкм, сейчас используются транзисторы с длиной канала 0,18 мкм, а в перспективе - разработка устройств с длиной канала в 0,13 мкм, что в плотную приближается к пределу физических ограничений на работу такого рода транзисторов.