УДК 621.385
Рассматриваются устройство, физические процессы, характеристики, параметры и простейшие схемы применения полупроводниковых электронных приборов.
ктн, доц. В.Л. Савиных,
Для студентов дневной и заочной форм обучения специальностей 071700, 200700, 200800, 200900, 201000, 201100, 201200, 201400.
Кафедра технической электроники.
Возможно вы искали - Реферат: Формирование электронных пучков. Магнитные фокусирующие линзы
Ил. 8, табл. 11, список лит. 4 назв.
Рецензент ктн, доц. Матвеев В.А.
Утверждено редакционно-издательским советом СибГУТИ в качестве
учебного пособия
[нет1]
@ Сибирский государственный
университет телекоммуникаций
и информатики, 2003 г.
[нет2]
Содержание
Похожий материал - Реферат: Фотодиод в оптоэлектронике
Введение………………………………………………………
1 Основы теории электропроводности полупроводников.......
1.1 Общие сведения о полупроводниках....................................
1.1.1 Полупроводники с собственной проводимостью..............
1.1.2 Полупроводники с электронной проводимостью.............
Очень интересно - Реферат: Фоторезисторы
1.1.3 Полупроводники с дырочной проводимостью..................
1.2 Токи в полупроводниках ....................................................
1.2.1 Дрейфовый ток...................................................................
1.2.2 Диффузионный ток...........................................................
1.3 Контактные явления...........................................................
Вам будет интересно - Реферат: Фотоэлектромагнитный эффект и его применение в устройствах функциональной электроники
1.3.1 Электронно-дырочный переход в состоянии равновесия
1.3.2 Прямое включение p-n перехода......................................
1.3.3 Обратное включение p-n перехода.................................
1.3.4 Теоретическая характеристика p-n перехода...........................
1.3.5 Реальная характеристика p-n перехода............................
Похожий материал - Реферат: Хемотроника
1.3.6 Ёмкости p-n перехода......................................................
1.4 Разновидности p-n переходов..........................................
1.4.1 Гетеропереходы...........................................................
1.4.2 Контакт между полупроводниками одного типа проводимости