Содержание.
Введение. 3
Электронно-дырочный переход 4
Динамическое равновесие процессов диффузии и дрейфа в электронно-дырочном переходе. 4
Энергетическая диаграмма электронно-дырочного перехода. 5
Возможно вы искали - Реферат: Электростатика
Полупроводниковый диод. 7
Устройство диода. 7
Статические вольтамперные характеристики диода. 7
Пробой диода 9
Электрический пробой. 9
Похожий материал - Реферат: Электростатикахо
Тепловой пробой. 10
Емкости диода. 11
Барьерная емкость. 11
Диффузионная емкость. 13
Типы электропреобразовательных полупроводниковых диодов и их применение в технике. 14
Очень интересно - Реферат: Элементарная теория радуги
Выпрямительные диоды 14
Высокочастотные диоды 14
Импульсные диоды. 15
Полупроводниковые стабилитроны. 15
Варикапы. 16
Вам будет интересно - Реферат: Элементарные частицы
Заключение. 17
Библиографический список: 18
Введение.
Полупроводники как особый класс веществ, были известны еще с конца XIX века, только развитие теории твердого тела позволила понять их особенность задолго до этого были обнаружены:
· эффект выпрямления тока на контакте металл-полупроводник;
Похожий материал - Реферат: Элементарные частицы
· фотопроводимость.
Были построены первые приборы на их основе. О. В. Лосев (1923) доказал возможность использования контактов полупроводник-металл для усиления и генерации колебаний (кристаллический детектор). Однако в последующие годы кристаллические детекторы были вытеснены электронными лампами и лишь в начале 50 - х годов с открытием транзисторов (США 1949 год) началось широкое применение полупроводников (главным образом германия и кремния в радиоэлектронике).Одновременно началось интенсивное изучение свойств полупроводников, чему способствовало совершенствование методов очистки кристаллов и их легированию (введение в полупроводник определенных примесей).
В СССР изучение полупроводников начались в конце 20 - х годов под руководством А.Ф. Иоффе в Физико-техническом институте АН СССР.
Интерес к оптическим свойствам полупроводников возрос в связи с открытием вынужденного излучения в полупроводниках, что привело к созданию полупроводниковых лазеров вначале на p - n - переходе, а затем на гетеропереходах.