“ Жидкостное химическое травление “
Содержание.
стр.
1. Введение. 3
1.1. Термодинамика травления. 5
1.2. Общие принципы кинетики травления. 8
Возможно вы искали - Дипломная работа: Паровоздушная газификация углей
1.3. Феноменологический механизм травления. 9
2. Жидкостное травление. 11
2.1. Травление SiO2 . 11
2.2. Травление кремния. 14
2.3. Травление многослойных структур. 19
Похожий материал - Реферат: Химия в биологии, медицине и производстве лекарственных препаратов
2.4. Травление алюминия. 20
2.5. Травители для алюминия. 21
2.6. Электрохимическое травление. 23
3. Практические аспекты жидкостного химического 23
травления.
Очень интересно - Реферат: Спирография
3.1. Другие характеристики травления. 24
4. Заключение. 25
5. Список литературы. 26
Введение.
Травление используется для селективной (химической) прорисовки диффузионных масок, формирования изолирующих или проводящих областей, в процессе которого вещество в области, подвергаемой травлению, химически преобразуется в растворимое или летучее соединение. В литографии травление применяется в основном для формирования диффузионных масок в слое термически окисленного кремния или для удаления материала через окна в диэлектрике при изготовлении металлических контактов. Металлическая разводка формируется путем селективного удаления промежутков (обращения изображения); фотошаблоны также изготавливаются травлением металлических пленок. Задача инженера-технолога состоит в том, чтобы обеспечить перенос изображения с резистной маски в подложку с минимальным отклонением размера (Е) и допуском (±Т) (см. рис. 1). Из рисунка видно, что суммарное изменение размера при литографии Е обусловлено искажением изображения в резистной маске (±0.1 мкм), уходом размера в резисте (±0.5 мкм) и уходом окончательного размера в процессе травления ±1.0 мкм с допуском в ±1.0 мкм.
Рис. 1. Изменение размеров при переносе изображения
из резиста в подложку с помощью изотропного травления.
Вам будет интересно - Реферат: Проектирование режущего инструмента
В зависимости от кристалличности пленки и целостности резиста (отсутствие отслоений при жидкостном и эрозии при плазменном травлении) уход размера может достигать толщины пленки D и даже превышать ее. Изотропное жидкостное травление, для которого характерно большое боковое подтравливание (L), пришлось заменить газофазным анизотропным травлением, для которого D/L>>1 (рис. 2).
Изотропное травление происходит неупорядоченно, с одинаковой скоростью по всем пространственным направлениям - L и D. Анизотропное травление проявляется при некоторых отклонениях от изотропного процесса. Желательно, чтобы глубина травления (D) была много больше величины бокового подтравливания (L). Поскольку травление в вертикальном направлении при достижении глубины D прекращается, перетравливание определяется только скоростью удаления материала в боковом направлении. Степень анизотропии можно определить как отношение L/D, и ее величина зависит от многих физических параметров. Жидкостное травление определяется в основном статическими характеристиками типа адгезии и степени задубленности резиста, состава травителя и т.п. При сухом травлении степень анизотропии во многом зависит от таких динамических параметров, как мощность разряда, давление и скорость эрозии резиста. Величина бокового подтравливания в случае жидкостного травления зависит от предшествующих стадий обработки - подготовки поверхности и термозадубливания.
Рис. 2. Анизотропное (слева) и изотропное (справа)
травление. R-резист, S-полложка.
Используя жидкостное травление или недавно разработанный и боле предпочтительный метод плазменного сухого травления, можно формировать различные профили в пленках. Жидкие травители дают изотропные или скошенные профили . Скошенный профиль края лучше подходит для последующего нанесения полости металла поперек такой ступеньки.
Ширина линии в скомпенсированной маске М, мкм
Рис. 3. Связь компенсации (уменьшение размеров окон в маске),
необходимый при изотропном и анизотропном (D/L>2) травлении.
Для компенсации подтрава при изотропном жидкостном травлении размеры элемента на фотошаблоне следует уменьшать. На рис. 3 показана компенсация размера окон в шаблоне для разных степеней анизотропии травления. Для обычного изотропного травления D/L равно 1 (без разрушения резиста и при хорошей адгезии). Для того чтобы ширина полосы была равна wе , размер перенесенного в резист изображения wr должен быть меньше на удвоенную величину бокового подтрава (L):
Похожий материал - Реферат: Проектирование технологии производства земляных работ
wr =wе -2L. (1)
Рис. 4. Сравнение жидкостного (W) и плазменного (Р) травления.В обоих случаях травление производится через маску Si3 N4 толщиной 0.25 мкм.
для получения 1-мкм линии при умеренно анизотропном травлении (D/L=3) изображение в резисте следует делать на 0.2 мкм меньше 1 мкм, а ширина элемента на шаблоне (М) должна быть увеличена примерно на 0.05-0.1 мкм для компенсации ухода размера при формировании резистной маски. Если же D/L=10, то полоса шириной 1 мкм может быть подтравлена через резистное окно шириной 0.7 мкм. разница в характеристиках компенсации размера изображения в резисте для сухого и жидкостного травления Si3 N4 ясно видна на рис. 4.