Реферат: Изготовление кристаллов

ОТЧЕТ ПО ПРОВЕДЕННЫМ ЭКСКУРСИЯМ

В ходе практики была проведена экскурсия в цехе кристального производства, в ходе которой ознакомились со следующими участками:

Участок чистой химии;

Участок нанесения фоторезиста;

Участок фотокопии;

Возможно вы искали - Реферат: Производство топленых животных жиров

Участок технохимии;

Участок плазмохимического травления;

Участок диффузии;

Участок ионного легирования;

Участок нанесения диэлектрических пленок;

Похожий материал - Доклад: Железные дороги в России

Участок напыления;

Участок контроля электрофизических параметров;

Участок испытаний.

ВВОДНАЯ ЧАСТЬ

Микросхема 564ИЕ10

Очень интересно - Реферат: Разработка и внедрение технологического процесса по изготовлению женской одежды пальтово-костюмн

Микросхема содержит два отдельных четырехразрядных двоичных счетчика. Триггеры каждого из них устанавливаются в исходное состояние (нулевое) при подаче уровня 1 на вход R. Триггеры счетчиков 564ИЕ10 переключаются в момент спада импульсов положительной полярности на входе СР при уровне 0 на входе CN. Возможна подача импульсов отрицательной полярности на вход CN при уровне 1 на входе СР. Таким образом, входы CP и CN объединены логической функцией И. При соединении микросхем 564ИЕ10 в многоразрядный счетчик с последовательным переносом выводы 8 подключаются к входам СР следующих, а на входы CN подают уровень 0.

На счетчике 564ИЕ10 можно собрать делитель частоты с коэффициентом деления от 2 до 15.

Рис. 1. Графическое изображение МС 564ЕИ10 Рис. 2. Временная диаграмма работы счетчика 564ИЕ10

МАРШРУТ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КРИСТАЛЛА 564ИЕ10

Вам будет интересно - Курсовая работа: Автоматизация холодильного оборудования

1. Формирование партии пластин.

2. Гидромеханическая отмывка пластин.

3. Химическая обработка.

Смесь Каро (H2 SO4 +H2 O2 ), перикисьно-амиачная смесь. Оборудование—

линия “Лада 125”.

Похожий материал - Реферат: Разработка технологии горячей объёмной штамповки детали цапфы правой

4. Окисление 1.

Установки СДОМ, АДС. Температура 1000О С. О2 +пар.

5. Фотолитография.

Формирование области р-кармана.