Саратовский Государственный Технический
Университет
Кафедра «Электронные приборы и устройства»
Курсовая работа
На тему:
«Расчёт и проектирование маломощных биполярных транзисторов»
Выполнил: ст. Козачук В. М.
Проверил: доц. Торопчин В. И.
САРАТОВ 1999г.
Оглавление.
Оглавление..................................................................................................... 1
1. Введение............................................................................................... 2
2. Цель задания........................................................................................ 2
Возможно вы искали - Реферат: Расчёт супергетеродинного приёмника ДВ, СВ волн
3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ.......................................................................................... 2
3.1 Техническое задание......................................................................... 2
3.2 Параметры, выбранные самостоятельно........................................... 2
3.3 Перечень используемых обозначений............................................... 3
4. Выбор технологии изготовления транзистора...................... 5
Похожий материал - Реферат: Проектирование канала сбора аналоговых данных микропроцессорной системы
4.1 Сплавно-диффузионные транзисторы............................................... 5
4.2 Структура сплавно-диффузионного p-n-p.......................................... 7
5. ОСНОВНАЯ ЧАСТЬ................................................................................... 8
5.1 Расчёт толщины базы и концентраций примесей.............................. 8
5.2 Расчет коэффициента передачи тока............................................... 11
Очень интересно - Реферат: Розрахунки й оптимізація характеристик систем електрозвязку. Расчёты и оптимизация характеристик
5.3 Расчет емкостей и размеров переходов.......................................... 11
5.4 Расчет сопротивлений ЭС и граничных частот............................... 12
5.5 Расчет обратных токов коллектора.................................................. 14
5.6 Расчет параметров предельного режима и определение толщины элементов кристаллической структуры......................................................................... 15
5.7 Расчёт эксплутационных параметров.............................................. 15
Вам будет интересно - Реферат: Основы комплексной автоматизации и проектирования ЭВМ
6. Выбор корпуса транзистора............................................................. 16
7. Обсуждение результатов................................................................... 18
8. Выводы:..................................................................................................... 18
9. Список используемой литературы............................................ 20
1. Введение
Используемые физические свойства полупроводника известны и используются с конца 19 века. При изобретении радио А.С. Поповым был применен порошковый когерер, в котором использовались нелинейные свойства зернистых структур. В 1923-1924 гг. Лосев О.В. обнаружил наличие отрицательного дифференциального сопротивления и явление люминесценции в точечных контактных сопротивлениях карбида кремния. В 1940 году был изготовлен первый точечный диод. В 1948 году американский физик Дж. Бардии, а также И.Браштейн разработали и изготовили точечно-контактный транзистор, в 1952 г. впервые были созданы промышленные образцы плоскостных транзисторов. В 1956 г. началось производство транзисторов с базой, полученной методом диффузии. В начале 60-х годов была применена планарная технология изготовления транзисторов. В настоящее время рабочие частоты транзисторов достигают 50 ГГц. По уровню рассеиваемой мощности транзисторы делятся на маломощные, средней и большой мощности.
2. Цель задания
Похожий материал - Реферат: Системы связи 2
Задачей выполнения курсового проекта является разработка маломощного биполярного транзистора в диапазоне, средних и высоких частот.
Целью работы над проектом является приобретение навыков решения инженерных задач создания дискретных полупроводниковых приборов, углубление знаний процессов и конструктивно технологических особенностей биполярных маломощных транзисторов.
3. ОБЩАЯ ЧАСТЬ
3.1 Техническое задание.
Техническое задание содержит требования к параметрам и условиям эксплуатации практикуемого прибора. В данном случае наиболее существенны следующие параметры:
1. Номинальный ток коллектора Iк ном =9мА.