КУРСОВАЯ РАБОТА
по курсу: «Физико-химические основы микроэлектроники и технологии РЭС и ЭВС»
на тему:
«ТУННЕЛИРОВАНИЕ В МИКРОЭЛЕКТРОНИКЕ »
Выполнил: Приняла:
студент гр. 910204 Забелина И. А.
Шпаковский В.А.
Минск 2001 г.
СОДЕРЖАНИЕ
Возможно вы искали - Реферат: Универсальный блок питания
стр.
1. Туннельный эффект……………………………………………………………………………3
2. ПРОЯВЛЕНИЕ В НЕОДНОРОДНЫХ СТРУКТУРАХ, ИСПОЛЬЗОВАНИЕ В УСТРОЙСТВАХ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ
2.1 Контакт металл-металл…………………………………………………………...…………..5
2.2 Структура металл-диэлектрик-металл………….……………………………………………8
Похожий материал - Реферат: Архитектура сотовых сетей связи и сети абонентского доступа
2.3 Токоперенос в тонких плёнках………………………………………………………………10
2.4 Туннельный пробой в p-n-переходе…………………………………………………………12
2.5 Эффекты Джозефсона………………………………………………………………………...13
2.6 Эффект Франца-Келдышева………………………………………………………………….15
3 Туннельный диод…..…………………………………………………………………………17
Очень интересно - Реферат: АЦП
Литература………………………………………………………………………………………….20
1. Туннельный эффект
Рассмотрим поведение частицы при прохождении через потенциальный барьер. Пусть частица, движущаяся слева направо, встречает на своём пути потенциальный барьер высоты U0 и ширины l (рис. 1.1). По классическим представлениям движение частицы будет таким:
U(x) - если энергия частицы будет больше высоты барьера (E>U0 ),
то частица беспрепятственно проходит над барьером;
U0 - если же энергия частицы будет меньше высоты барьера
Вам будет интересно - Реферат: Управление цикловой автоматикой
E (E<U0 ), то частица отражается и летит в обратную сторону;
сквозь барьер частица проникнуть не может.
I II III Совершенно иначе поведение частицы по законам квантовой
механики. Во-первых, даже при E>U0 имеется отличная от ну-
0 l x ля вероятность того, что частица отразится от потенциального
Похожий материал - Реферат: Безопасность труда электромонтера по обслуживанию электрооборудования
Рис.1.1 Прохождение частицы барьера и полетит обратно. Во-вторых, при E<U0 имеется ве-
через потенциальный барьер. роятность того, что частица проникнет «сквозь» барьер и ока-
жется в области III. Такое поведение частицы описывается уравнением Шрёдингера:
. (1.1)
Здесь 
- волновая функция микрочастицы. Уравнение Шрёдингера для области I и III будет одинаковым. Поэтому ограничимся рассмотрением областей I и II. Итак, уравнение Шрёдингера для области I примет вид: