РГРТА
Кафедра КПРА
Курсовая работа по курсу: “Технологические процессы микроэлектроники”
На тему: ”Усилитель промежуточной частоты”
Выполнил ст. гр. 9 52
Проверил:
Рязань 200 2
Содержание
Кафедра КПРА.. 1
Рязань 2001. 1
Содержание. 2
Исходные данные: . 3
Возможно вы искали - Реферат: Двухзеркальная антенна по схеме Кассергена
Введение . 4
Анализ технического задания . 5
Разработка топологии . 6
Резисторы. 6
Конденсаторы .. 11
Похожий материал - Реферат: Усилитель широкополосный
Заключение…………………………………………………………………………………………….16
Список литературы .. 17
Исходные данные:
Номиналы
Очень интересно - Реферат: Устройства защиты громкоговорителей
R1, R10 – Резистор 12.0 kОМ 2шт; C1, C4 – Конденсатор 0.03 мкФ 2шт
R2 – Резистор 7.5 kОМ 1шт; С2, С5 – Конденсатор 6800 рФ 2шт
R3 – Резистор 5.0 kОМ 1шт; С3, С6 – Конденсатор 1500 рФ 2шт
R4, R7 – Резистор 15.0 kОМ 2шт;
Вам будет интересно - Реферат: Детектор излучения сотового телефона
R5 – Резистор 2.0 kОМ 1шт; VT1, VT2 – Транзистор КТ324В 2шт
R6 – Резистор 510 ОМ 1шт; (СБО.336.031 ТУ)
R8 – Резистор 0.34 kОМ 1шт;
R9 – Резистор 2.8 kОМ 1шт; ТР1 – Трансформатор ВЧ. 1шт
Плату следует изготовить методом фотополитографии.
Похожий материал - Реферат: Электромагнитные поля и волны
Эксплуатационные требования: Тр = -150 +400 С, tэ = 1000 ч., корпус, серия К151,159.
Введение
Постоянной тенденцией в радиоэлектронике является уменьшение габаритов и масс аппаратуры, повышение ее надежности. До появления интегральных микросхем этот процесс протекал в направлении миниатюризации отдельных элементов. Следующим шагом в миниатюризации было создание техники интегральных микросхем. Этот этап принципиально отличался от предыдущих тем, что в нем аппаратура собирается не из отдельных элементов или модулей, а из функциональных схем, образованных в едином технологическом процессе производства. Основными разновидностями технологии микросхем являются: пленочная, полупроводниковая и смешанная.
В пленочной технологии интегральная микросхема образуется нанесением на диэлектрическую подложку в определенной последовательности пленок из соответствующих материалов. Изготовленные таким образом микросхемы называются пленочными интегральными микросхемами (ПИМС). Разновидностью ПИМС являются гибридные интегральные микросхемы (ГИМС), у которых часть элементов, имеющих самостоятельное конструктивное оформление, вносится в виде навесных деталей.
Чрезвычайным важными характеристиками микросхем является степень интеграции и плотность упаковки. Степень интеграции представляет показатель сложности микросхемы и характеризуется числом содержащихся в ней элементов и компонентов. Плотностью упаковки называется отношение числа элементов и компонентов микросхемы к ее объему.