МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ИНСТИТУТ
ЭЛЕКТРОНИКИ И МАТЕМАТИКИ
(технический университет)
Кафедра Электроники и электротехники
Доклад
Тема: “ Усилительные каскады в области высших частот”
Студент:
Андриатис Ю.А.
группа АП-52
Преподаватель:
Ушаков В.Н.
МОСКВА 1999
Усилительный каскад на биполярном транзисторе.
EK
 |  |
R1 RK РИС 1. ПРИНЦИПИАЛЬНАЯ СХЕМА
УСИЛИТЕЛЬНОГО RC - КАСКАДА
Возможно вы искали - Реферат: Отчет по лабораторной работе по курсу «Проектирование информационно–вычислительных комплексов»
Cк НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ
ВЫХОД
IBX
C
 |
 |
 |
RH Uвых
ВХОД CЭ
R2 RЭ IBЫX
Рассматривая работу RC-каскада в области высоких частот мы можем принебречь влиянием емкости Ск, так как с возрастанием частоты входного сигнала сопротивление емкости Ск становится малым по сравнению с сопротивлением Rн. Пренебрегать емкостью С(суммарная паразитная емкость каскада) в области высоких частот нельзя.
РИС 2. УПРОЩЕННАЯ ЭКВИВАЛЕНТНАЯ СХЕМА УСИЛИТЕЛЬНОГО КАСКАДА
НА БИПОЛЯРНОМ ТРАНЗИСТОРЕ В ОБЛАСТИ ВЫСШИХ ЧАСТОТ
I б IBЫX
 | ||
 |  | |
 | ||
rвхRkC RH U вых
h21эIб
 |  |
Из схемы находим:
Z k = (Rk || Rн)|| 1 = (Rk || Rн) * (1 / jw вС) =
(jw вС) (Rk || Rн) + (1 / jw вС)
= (Rk || Rн) = (Rk || Rн)
1 + jw вС(Rk || Rн) 1 + jw вt в
где t в = С(Rk || Rн) - постоянная времени нагрузочной цепи
(Rk || Rн)
U 2 = h21эIбZ k = h21эIб 1 + jw вt в U 1 = Iбrвх
U 2 (Ku)0