Министерство образования Российской Федерации

Факультет ЭИУК

Кафедра ЭИУ1-КФ «Конструирование и производство электронной аппаратуры»

РАСЧЁТНО-ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА

к курсовому проекту по курсу ТИМС

на тему:

“Проектирование ГИС и расчет элементов узлов детектора СВЧ сигналов

Калуга,

Содержание

Введение

Задание

Конструирование и технология толстопленочных ГИС

Возможно вы искали - Курсовая работа: Проектирование городской телефонной сети

Технологический процесс изготовления ГИС

Расчетная часть

Расчет резисторов первого типа

Расчет резисторов второго типа

Расчет резисторов третьего типа

Похожий материал - Курсовая работа: Проектирование двухзеркальной антенны по схеме Кассегрена

Расчет конденсаторов

Выбор типа корпуса

Заключение

Список литературы

Приложение

Очень интересно - Контрольная работа: Проектирование двухстепенного манипулятора с самонастройкой

Введение

Интегральная микросхема - это конструктивно законченное изделие электронной техники, выполняющее определенную функцию преобразования информации и содержащее совокупность электрически связанных между собой электрорадиоэлементов (ЭРЭ), изготовленных в едином технологическом цикле.

По способу изготовления различают полупроводниковые и пленочные интегральные микросхемы. В полупроводниковых интегральных микросхемах все ЭРЭ и часть межсоединений сформированы в приповерхностном слое полупроводниковой (обычно кремниевой) подложки. В пленочных интегральных микросхемах пассивные ЭРЭ изготовлены в виде совокупности тонких (менее 1 мкм) или толстых (10-50 мкм) пленок, нанесенных на диэлектрическую подложку. Гибридные интегральные микросхемы (ГИС) представляет собой комбинацию пленочных ЭРЭ с миниатюрными безкорпусными дискретными приборами (полупроводни­ковыми интегральными микросхемами, транзисторами, диодами), расположенных на общей диэлектрической подложке. ЭРЭ, которые являются неотъемлемой составной частью интегральной микросхемы и не могут быть выделены из нее как самостоятельное изделие, называют элементами интегральной микросхемы, а дискретные активные ЭРЭ ГИС – навесными компонентами (или просто компонентами) , подчеркивая тем самым, что их изготавливают отдельно в виде самостоятельных приборов, которые могут быть приобретены изготовителем ГИС как покупные изделия. В отличие от дискретных компонентов элементы интегральной микросхемы называют интегральными.

В совмещенных интегральных микросхемах, активные ЭРЭ выполнены в приповерхностном слое полупроводникового кристалла (как у полупроводниковой интегральной микросхемы), а пассивные нанесены в виде пленок на покрытую диэлектриком поверхность того же кристалла (как у пленочной интегральной микросхемы). Перечислим особенности интегральных микросхем как типа изделий электронной техники:

а) интегральная микросхема самостоятельно выполняет законченную, часто довольно сложную функцию. Она может быть усилителем, запоминающим устройством, генератором и т.д. Ни один из ЭРЭ самостоятельно таких функций выполнять не может, для этого его следует соединить с другими дискретными ЭРЭ по отдельной схеме;

Вам будет интересно - Контрольная работа: Проектирование дифференциального усилителя

б) выпуск и применение интегральных микросхем сопровождаются существенным уменьшением массы, габаритов и стоимости радиоэлектронной аппаратуры, снижением потребляемой мощности и повышением надежности;

Задание

Произвести топологический расчет схемы принципиальной электрической представленной на рис. 1 для толстопленочной ГИС.

Рис.1

Конструирование и технология толстопленочных ГИС

Похожий материал - Лабораторная работа: Проектирование запоминающего модуля на сменном оптическом носителе

Платы толстопленочных ГИС

Платы толстопленочных ГИС должны быть дешевыми, иметь высокие механическую прочность, теплопроводность, термостойкость и химическую стойкость.

Наиболее подходящими материалами для плат толстопленочных ГИС являются высокоглиноземистая керамика 22ХС, поликор и керамика на основе окиси бериллия.

Высокая механическая прочность керамики позволяет использовать плату в качестве детали корпуса с отверстиями, пазами, а высокая теплопроводность дает возможность изготовлять мощные микросхемы.