Содержание
Введение
1.Полупроводники n-типа
2.Полупроводники p-типа
3.Носители зарядов
Возможно вы искали - Реферат: Полупроводники в современной физике и технике
4.Прохождение тока
5. Транзисторные технологии
5.1 Точечные транзисторы
5.2 Эпитаксиальные транзисторы
5.3 Ионная имплантация
Похожий материал - Курсовая работа: Полупроводниковые материалы
5.4 Полевой МОП-транзистор
5.5 ПТ с управляющим p-n-переходом
Список литературы
Введение
Если в полупроводник ввести примесь других веществ, то в дополнение к собственной появляется еще ипримесная электропроводность, которая в зависимости от рода примеси может быть электронной или дырочной.
Очень интересно - Курсовая работа: Полупроводниковые наноструктуры
1. Полупроводники n-типа
Если к четырехвалентному кремнию добавить пятивалентную сурьму (Sb), мышьяк (As) или фосфор (P), то их атомы, взаимодействуя с атомами кремния только четырьмя своими электронами, пятый отдадут в зону проводимости. В результате добавляется некоторое число электронов проводимости. Сам атом примеси при отдаче электрона становится положительным ионом. Примеси, атомы которых отдают электроны, называются донорами.
Полупроводники с преобладанием электронной электропроводности называются электронными полупроводниками или полупроводниками n-типа. Зонная диаграмма такого полупроводника показана на рис. 1.
Рис. 1 - Зонная диаграмма полупроводника n-типа
Вам будет интересно - Курсовая работа: Получение арсенида галлия
Энергетические уровни донора расположены немного ниже зоны проводимости, и таким образом в этой зоне появляется дополнительное число электронов, равное числу атомов донора. В самих атомах донора при этом дырки не образуются.
2. Полупроводники p-типа
Если же в четырехвалентный кремний ввести примесь трехвалентного бора (B), индия (In) или алюминия (Al), то их атомы отнимают электроны от атомов кремния, оставляя в наследство у кремния дырки. Такие примеси называютсяакцепторами. Сами атомы акцептора заряжаются отрицательно.
Полупроводники с преобладанием примесной электропроводности называютсядырочными полупроводникамиилиполупроводниками p-типа. Зонная диаграмма такого полупроводника показана на рис. 2:
Похожий материал - Реферат: Получение, распределение и передача энергии
Рис. 2 Зонная диаграмма полупроводника р-типа
Как видно, энергетические уровни акцепторов располагаются немного выше валентной зоны. На эти уровни легко переходят электроны из валентной зоны, в которой при этом возникают дырки.
В полупроводниковых приборах главным образом используется примесная донорная, либо акцепторная электропроводность. При обычных рабочих температурах в таких полупроводниках все атомы примеси участвуют в создании примесной электропроводности, т. е. каждый атом примеси либо отдает, либо захватывает один электрон.
3. Носители зарядов