Лабораторная работа: Модели полупроводниковых диодов

Содержание

Часть №1

1. Исследование зависимости времени жизни от концентрации легирующей примеси

2. Исследование свойств диффузионной длины неосновных носителей

3. Исследование модели тока насыщения I_S идеального диода в модели Шокли

Возможно вы искали - Реферат: Метод и система адаптивної лазерної терапії

4. Исследование модели контактной разности потенциалов

5. Исследование модели толщины ОПЗ

Часть №2

1. Исследование влияния процессов генерации-рекомбинации в ОПЗ на вид ВАХ для PSPICE модели диода

2. Исследование влияния температуры и концентрации примесей в База на вид ВАХ для PSPICE модели идеального диода

Похожий материал - Реферат: Серцева недостатність у дітей

3. Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода

4. Исследование влияние процессов высокого уровня инжекции на вид ВАХ для PSPICE модели диода

Часть №3

1. Исследования влияние концентрации в базе и температуры на значение равновесной барьерной емкости C_{j 0} (при U=0

2. Исследование ВФХ барьерной емкости в зависимости от ее входных параметров

Очень интересно - Курсовая работа: Уральский федеральный округ 3

3. Исследование ВФХ диффузионной емкости в зависимости от ее входных параметров

4. Исследование ВФХ барьерной и диффузионной емкости на совмещенном графике

Лабораторная работа №3

Тема: «МОДЕЛИ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ДИОДОВ»

Цель работы: Изучить основные физические модели p-n переходов, находящихся в равновесном состоянии и при электрическом смещении, а так же модели ВАХ диодов, соответствующие различным процессам (генерация-рекомбинация в ОПЗ, высокий уровень инжекции, явление пробоя) в зависимости от учитываемых параметров в схемотехнической модели диода для программы PSPICE в режиме работы на постоянном токе (DC режим).

Вам будет интересно - Реферат: Узбекское ханство

Исходные данные:

- п/п – Ge

- N_Э = 1×10¹⁸ см^-3 ; N_Б = 2×10¹⁵ см^-3 .

- L_Б = 10мин; L_Э = 2мин; W = 500мин; H = 200мин.

- S_захв = 2×10^-16 см^-2 .

Похожий материал - Реферат: Сестринское дело 3

- Переход p-n.

Часть №1

U_обр = -50В; Т = 300°К

Концентрационные зависимости подвижностей основных и неосновных носителей: