СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
1. Устройство полевого транзистора.
2. Схемы включения полевого транзистора.
3. Эквивалентная схема полевого транзистора.
Возможно вы искали - Реферат: Малошумящие однозеркальные параболические антенны
4. Параметры полевого транзистора.
4.1. Частотные свойства.
4.2. Шумовые свойства.
4.3. Тепловые параметры.
4.4. Максимально допустимые параметры.
Похожий материал - Реферат: Математическое моделирование биполярных транзисторов типа p-n-p
4.5. Вольт - амперные характеристики полевых транзисторов.
5. Рекомендации по применению полевых транзисторов.
СПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
ВВЕДЕНИЕ
Действие транзистора можно сравнить с действием плотины. С помощью постоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. Затрачивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т.е. управлять энергией мощного постоянного источника
Очень интересно - Реферат: Матричные фотоприемники
Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое применение в микроэлектронике — теле-, видео-, аудио-, радиоаппаратуре и, конечно же, в компьютерах. Они заменяют электронные лампы во многих электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры.
Преимущества транзисторов по сравнению с электронными лампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того транзисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях и более высоких частотах.
Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям (чтобы сделать транзистор более долговечным, его помещают в специальные корпуса ).
Основные материалы из которых изготовляют транзисторы — кремний и германий, перспективные – арсенид галлия , сульфид цинка и широко зонные проводники .
Существует 2 типа транзисторов: биполярные и полевые.
Вам будет интересно - Реферат: Методы и алгоритмы компоновки, размещения и трассировки печатных плат
Рассмотрим устройство и принцип действия полевого транзистора МОП- структуры (Металл- Окисел- Полупроводник), который нашел широкое применение в качестве основного элемента всех современных интегральных микросхем КМОП структуры.
МОП – ТРАНЗИСТОРЫ
1. Устройство полевого транзистора.
 |
??????? ?????????? - ??? ????????????????? ??????, ???????????? ???????? ???????? ??????????? ??????? ???????? ?????????, ??????????? ????? ?????????? ????? ? ??????????? ????????????? ?????. ? ??????? ?? ?????????? ?????? ??????? ???????????? ???????? ?? ????????????? ???????? ????????? ?????? ? ??????????????. ?? ??????????????? ?????????? ? ?????????? ???????????? ??????? ??????????? ????? ????????? ?? ??? ??????: ??????? ??????????? ? ??????????? р- п - ????????? ? ??????? ??????????? ? ????????????? ????????.
Рис.1. Структура полевого транзистора
Полевой транзистор с управляющим р-п- переходом - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала
Похожий материал - Реферат: Методы измерения переменных токов и напряжений средней и низкой частоты
р-п - переходом, смещенным в обратном направлении. Электрод , из которого в канал входят носители заряда, называют истоком; электрод, через который из канала уходят носители заряда, - стоком; электрод, служащий для регулирования поперечного сечения канала, - затвором. При подключении к истоку отрицательного (для п -канала), а к стоку положительного напряжения (рис. 1 ) в канале возникает электрический ток, создаваемый движением электронов от истока к стоку, т.е. основными носителями заряда. В этом заключается существенное отличие полевого транзистора от биполярного. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполярном транзисторе) является второй характерной особенностью полевого транзистора.
Электрическое поле, создаваемое между затвором и каналом, изменяет плотность носителей заряда в канале, т.е. величину протекающего тока. Так как управление происходит через обратно смещенный р-п -переход, сопротивление между управляющим электродом и каналом велико, а потребляемая мощность от источника сигнала в цепи затвора ничтожно мала. Поэтому полевой транзистор может обеспечить усиление электромагнитных колебаний как по мощности, так и по току и напряжению.
 |  |
Рис. 2. Структура полевого транзистора с изолированным затвором: а - с индуцированным каналом ; б - со встроенным каналом.
Полевой транзистор с изолированным затвором - это полевой транзистор, затвор которого отделен в электрическом отношении от канала слоем диэлектрика. Полевой транзистор с изолированным затвором состоит из пластины полупроводника (подложки) с относительно высоким удельным сопротивлением, в которой созданы две области с противоположным типом электропроводности (рис. 2 ). На эти области нанесены металлические электроды - исток и сток. Поверхность полупроводника между истоком и стоком покрыта тонким слоем диэлектрика (обычно слоем оксида кремния). На слой диэлектрика нанесен металлический электрод - затвор. Получается структура, состоящая из металла, диэлектрика и полупроводника. Поэтому полевые транзисторы с изолированным затвором часто называют МДП- транзисторами или МОП- транзисторами (металл - оксид- полупроводник).