Исходные данные для расчета .
Еп=10 В;Rи=150 Ом; Rк=470 Ом; Rн=510; Сн=15 пФ ;Tмин=-30град; Тmax=50град;
Требуемая нижняя частота : Fн=50 кГц.
Используемый тип транзистора: КТ325В (Si ; N-P-N ; ОЭ)
Нестабильность коллекторного тока - 
Возможно вы искали - Реферат: Расчет настроек автоматического регулятора
Параметры транзистора :
Граничная частота - Fгр = 800Мгц.
Uкбо(проб)=15В.
Uэбо(проб)=4В.
Iк(мах)=60мА.
Похожий материал - Реферат: Расчет настроек автоматического регулятора 2
Обратный ток коллектора при Uкб=15В : Iкбо<0.5мкА (при Т=298К).
Статический коэффициент усиления тока базыв схеме с ОЭ:h21=70…210.
Емкость коллекторного перехода: Ск<2.5пФ.(при Uкб=5В)
rкэ(нас.)=40 Ом.
Постоянная времени цепи обратной связи: tк<125 нс.
Очень интересно - Реферат: Расчет параметров ступенчатого p-n перехода zip 860 kb
Для планарного транзистора - технологический параметр 
= 6.3
Предварительный расчет.
Исходя из значений Еп и Rк , ориентировачно выберем рабочую точку с параметрами Uкэ=4В и Iкэ=1мА.
Типичное значение , для кремниевых транзисторов:Uбэ=0.65В.
Uкб=Uкэ-Uбэ = 3.35В
Вам будет интересно - Реферат: Расчет переходных процессов в линейных цепях с сосредоточенными параметрами
=2.857 пФ.
=275Ом - Объемное сопротивление базы.
Iб = Iкэ/h21 = 8.264e-6 - ток базы. Iэ = Iкэ - Iб = 9.9e-4 - ток эмиттера.
rэ = 26е-3/Iэ = 26.217 - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода.
Параметр n = rэ/rб + 1/h21 = 0.103 (Нормированное относительно Fгр значение граничной частоты)
Похожий материал - Реферат: Разработка принципиальной схемы генератора на D-тригерах
Для дальнейших расчетов по заданным искажениям в области нижних частот зададимся коэффициэнтами частотных искажений .
Пускай доля частотных искажений , вносимых на нижней частоте разделительным конденсатором Ср , окажеться в к=100 раз меньше чем конденсатором Сэ , тогда коэффициенты частотных искажений
равны: Мнр = 0.99 , а Мнэ = 0.71( Определяются по графику)
= 2.281е-8 Ф;- емкость разделительного конденсатора.